第一章绪论-SOC@Fudan.docVIP

第一章 绪论 随着工艺尺寸的缩小，当代ASIC与CPU的性能突飞猛进，然而存储器的核心频率任然只有100~200MHz左右，SDR/DDR/DDR2/DDR3等旨在提高数据吞吐率的接口协议应运而生。当下，设计良好的存储控制器，已成为充分发挥系统带宽潜能、降低系统功耗的有力保障。 本章内容：首先，将分三部分简要介绍DRAM存储器：前SDRAM时代的DRAM、SDRAM带来的机遇与挑战、后SDRAM时代的DRAM；然后，将介绍本课题的内容，给出论文结构。 1 前SDRAM时期的DRAM 1.1 DRAM的发明 1966年Robert Dennard博士在IBM的Thomas J. Watson研究中心发明了DRAM存储器，其中的存储单元采用了1T1C的结构。Robert Dennard获得了美国专利，专利号为3,387,286。 1.2 Intel 1103 1971年Intel发布了Intel 1103存储器，容量为1kbit。它是历史上第一个商业上成功的DRAM存储器。与经典DRAM不同，它采用3T1C的存储单元，有独立的行地址线与列地址线，读与写的数据线分离。 1.3 Mostek MK4096 1973年Mostek发布了Mostek MK4096存储器，容量为4k，由Robert Proebsting设计。它是历史上第一个复用行列地址线的DRAM。行列