实验七_线性和非线性电学元件伏安特性的测量..doc

实验七 线性电阻和非线性电阻的伏安特性曲线 电阻是电学中常用的物理量。利用欧姆定律求导体电阻的方法称为伏安法，它是测量电阻的基本方法之一。 为了研究材料的导电性，通常作出其伏安特性曲线，了解它的电压与电流的关系。伏安特性曲线是直线的元件称为线性元件，伏安特性曲线不是直线的元件称为非线性元件。这两种元件的电阻都可用伏安法测量。但由于测量时电表被引入测量线路，电表内阻必然会影响测量结果，因而应考虑对测量结果进行必要的修正，以减少系统误差。 【实验目的】 通过对线性电阻伏安特性的测量，学习正确选择和使用伏安法测电阻的两种线路。 通过对二极管伏安特性的测量，了解非线性电学元件的导电特性。 习按电路图正确地接线，掌握限流电路和分压电路的主要特点。 学会用作图法处理实验数据。 【实验仪器】 欧姆定律实验盒 直流稳压电源 滑线变阻器（2个） 单刀开关 数字电流表 数字电压表 保护电阻 【实验原理】 当一个元件两端加上电压，元件内有电流通过时，电压与电流之比称为该元件的电阻。若一个元件两端的电压与通过它的电流成比例，则伏安特性曲线为一条直线，这类元件称为线性元件。若元件两端的电压与通过它的电流不成比例，则伏安特性曲线不再是直线，而是一条曲线，这类元件称为非线性元件。 一般金属导体的电阻是线性电阻，它与外加电压的大小和方向无关，其伏安特性是一条直线（见图1），从图上看出，直线通过一、三象限。它表明，当调换电阻两端电压的极性时，电流也换向，而电阻始终为一定值，等于直线斜率的倒数R =V/I。 常用的半导体二极管是非线性电阻，其电阻值不仅与外加电压的大小有关，而且还与方向有关。为了了解半导体二极管的导电特性，下面对它的结构和电学性能作一简单介绍。 I（mA） ＋ － 图1 线性电阻的伏安特性 图2 半导体二极管的p-n结和表示符号 半导体二极管又叫晶体二极管。半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。如果在纯净的半导体中适当地掺入极微量的杂质，则半导体的导电能力就会有上百万倍的增加。加到半导体中的杂质可分成两种类型：一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生许多带负电的电子，这种半导体叫电子型半导体（也叫N型半导体）；另一种杂质加到半导体中会产生许多缺少电子的空穴（空位），这种半导体叫空穴型半导体（也叫P型半导体）。 半导体二极管是由两种具有不同导电性能的N型半导体和P型半导体结合形成的p-n结所构成的。它有正、负两个电极，正极由p型半导体引出，负极由n型半导体引出，如图2（a）所示。p-n结具有单向导电的特性，常用图2（b）所示的符号表示。 关于p-n结的形成和导电性能可作如下解释。 如图3（a）所示，由于p区中空穴的浓度比n区大，空穴便由p区向n区扩散；同样，由于n区的电子浓度比p区大，电子便由n区向p区扩散。随着扩散的进行，p区空穴减少，出现了一层带负电的粒子区（以 表示）；n区的电子减少，出现了一层带正电的粒子区（以 表示）。结果在p型与n型半导体交界的两侧附近，形成了带正、负电的薄层区，称为p-n结。这个带电薄层内的正、负电荷产生了一个电场，其方向恰好与载流子（电子、空穴）扩散运动的方向相反，使载流子的扩散受到内电场的阻力作用，所以这个带电薄层又称为阻挡层。当扩散作用与内电场作用相等时，p区的空穴和n区的电子不再减少，阻挡层也不再增加，达到动态平衡，这时二极管中没有电流。 内电场方向 内电场方向 内电场方向 扩散运动方向 外电场方向 外电场方向 正向电流(较大) 反向电流(很小) (a) (b) (c) 图3 p-n结的形成和单向导电特性 如图3（b）所示，当p-n结加上正向电压（p区接正，n区接负）时，外电场与内电场方向相反，因而削弱了内电场，使阻挡层变薄。这样，载流子就能顺利地通过p-n结，形成比较大的电流。所以，p-n结在正向导电时电阻很小。 如图3（c）所示，当p-n结加上反向电压（p区接负，n区接正）时，外加