RFsputter真空原理.docVIP

國立清華大學 奈微與材料科技中心 射頻濺鍍系統(RF Sputter) Update:2010/12/17 RF Sputter操作步驟 簡介 用途： 使用射頻功率與氬氣產生電漿轟擊鋁靶，使鋁與氮氣結合產生氮化鋁。 適用範圍： （1）6 吋以下晶圓含1cm2以上之破片。 （2）每次製程限用一片晶圓。 （3）本機台限鍍氮化鋁化合物。 （4）本機台目前接受底材為 Pt、Al、Mo、Si、Oxide、Nitride之晶片，含有光阻、Au、Cu等鐵電材料之底材不可進入以避免污染。 使用設備：ULVAC 製程、、N2) 使用限制： 機台參數壓力、、操作前檢查無塵室溼度與溫度是否正常。 查CDA 0.4 kg/cm2，N2 1 kg/cm2 查冰水機外，循環入水與出水是否正常 。 查冰水機內，循環水高度是否高於Low白線。。 查N2 1 kg，Ar 1 kgcryo pump溫度低於18 K， 確認機台於pump down高真空狀態。 Low 片(stop。此動作為關閉MVVent(start。此動作為開VV，讓N2破chamber真空。。(stop，停吹氮氣。將腔門開啟，以門擋擋住腔門。 執行螢幕shutter(檔片)(Open 若鍍破片，六吋wafer需放在座上作檔，不用時，放在去除水氣 切換JIG Rotation contro