模组工艺和sensor原理..docx

1.模组的两种封装方式：COB和CSPCSP Chip Scale Package封装的优点在于封装段由前段制程完成，制程设备成本较低、制程时间短，面临的挑战是光线穿透率不佳、价格较贵、高度较高、背光穿透鬼影现象。CSP有两种基本类型：一种是封装在固定的标准压点轨迹内的，另一种则是封装外壳尺寸随芯片尺寸变化的。常见的CSP分类方式是根据封装外壳本身的结构来分的，它分为柔性CSP，刚性CSP，引线框架CSP和圆片级封装(WLP)。柔性CSP封装和圆片级封装的外形尺寸因籽芯尺寸的不同而不同；刚性CSP和引线框架CSP封装则受标准压点位置和大小制约。CSP封装适用于脚数少的IC，如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电（IA）、数字电视（DTV）、电子书（E-Book）、无线博客WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手机芯片、蓝牙（Bluetooth）等新兴产品中。COB Chip On Board 的优势包括封装成本相对较低、高度较低，缺点是制程设备成本较高、良品率变动大、制程时间长。用COB技术封装的裸芯片是芯片主体和I/O端子在晶体上方，在焊接时将此裸芯片用导电/导热胶粘接在PCB上，凝固后，用 Bonder 机将金属丝(Al或Au)在超声、热压的作用下，分别连接在芯片的I/O端子焊区和PCB相对应的焊盘上，测试合格后，再封上树脂胶。　　与其它封装技术相比，COB技术有以下优点：价格低廉；节约空间；工艺成熟。COB技术也存在不足，即需要另配焊接机及封装机，有时速度跟不上；PCB贴片对环境要求更为严格；无法维修等。个人理解；CSP与COB最大的差别就在于CSP封状芯片感光面被一层玻璃保护，COB没有相当于裸片。同一个镜头2种工艺作出来的模组高度有区别，COB要低点。在生产加工的时候，CSP对灰尘点要求相对低点 sensor表面如果还有灰尘点可以返工修复，COB则不可。镜头对COB/CSP工艺一般可以通用，但是底座不能。CSP底座温度一般要求在80-90度左右，COB底座要求在200度左右。COB工艺环境要求比较高。CSP 要求很低。2.CMOS成像原理CMOS成像器最关键的结构就是有源像素传感器Active Pixel Sensor–APS，其特点是在每一个像素上都有一组有源电路。通过这组电路的控制和转换，入射光子在光电二极管PN结上形成的电荷信号，在每一个像素上就被转换成模拟电压信号输出。这样一来通用的CMOS模拟开关和线性放大器，就可以立即切换和处理模拟图像信号了。不像CCD传感器那样，从每一个像素上输出的是对应光照的电荷信号，只能用复杂的电荷耦合结构来转移传递光电图像信息，而且电荷耦合结构是无法与MOS或其他半导体结构简单融合、并轻易集成在单一硅片上的。当然这里的APS像素本身，包括光电转换和有源电路部分，也是用通用的CMOS工艺产生的。CMOS成像器芯片的核心是一个二维的传感器像素阵列，通过光学聚集的图像就成像在这个平面上。围绕着像素阵列的，是控制曝光和读出的垂直扫描、列读出通道和切换开关、图像信号的模拟数字转换等部件。还有输入控制数据的串行接口、数据存储器和控制器。一个典型的CMOS成像器芯片结构方框示意如图1，它包含了集成到一颗单硅片上的所有最必要部件。像素阵列是由排列成行、列的APS像素组成。垂直扫描电路逐行地控制像素阵列的重置、曝光和选择读出等操作。每一列像素共享一路输出，由列读出放大器读出，列模拟开关水平扫描切换像素读出的光电电压信号。模数转换ADC把模拟图像信号转换成数字图像数据，由芯片引脚直接输出数字图像信号。控制器使整个曝光读出过程同步操作运行，曝光读出模式和参数的设定数据由串口输入和存储，再送入控制器控制部件按设定好的控制程序运行。还可以在同一硅片上，集成更多的和更复杂的模拟数字电路结构，如DSP实现数字图像处理和数据格式的转换等功能。CMOS成像器芯片封装在一个带光学玻璃窗口的外壳中。窗口开设在正对着传感器阵列上方的位置，光学图像经过透镜或透镜组在传感器阵列平面上成像。封装外壳上的引脚输出数字图像信息和行列同步信号，输入操作方式的设置数据，连接电源和模拟参考电压等等。图1 一个典型的CMOS成像器芯片示意框图上次谈到APS像素是CMOS成像器的关键技术，所以我们首先了解APS像素是如何工作和构成的。最简单也是最基本的APS像素是由三个晶体管和一个光电二极管构成的，因此被称为3T-APS。如图2所示意，（C）为单个像素的电路原理图。其中Trst是重置开关晶体管，由Reset信号控制工作在开关状态；Tsf是一个源极跟随器工作在线性状态，其源极S输出电压跟随着光电二极管PD上的电压变化，其增益略小于1；Tsel是一个选择开关，由信号Select控制，把这个像素的输出电压选择到列输出共享