硅光电池特性研究..docVIP

硅光电池特性的研究 实验人：林晔顺023012037 合作人：林宗祥 组号：A8 【实验目的】 设计简单的光路，研究硅光电池的主要参数和基本特性。 设计使用硅光电池对有关参量进行探测的实验方法及其简单应用。 【实验仪器】 实验用具：电位差计、硅光电池（2DR65型，面积Φ=15nm2，光强100mW/cm2,温度为20oC时，开路电压大于500mV，短路电流为31~55mA，光谱峰值在0.45~1.1um范围内），光源，聚光透镜，检流计，滤色片，偏振片，开关等。 【实验基本原理】 光电池是一种光电转换元件，不用外加电源而能直接把光能转换成电能。它的种类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、硫化铊、硫化镉等。其中最受重视、应用最广的是硅光电池。它有一系列的优点：性能稳定，光谱范围宽，频率响应好，转换效率高，能耐高温辐射等。同时它的光谱灵敏度与人眼的灵敏度最相近，所以，它在很多分析仪器、测量仪器、曝光表以及自动控制监测、计算机的输入和输出上用作探测元件，在现代科学技术中占有十分重要地位。本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作基本的了解和研究。 硅光电池是一种P—N结的单结光电池，当光照射到P—N结时，由于光激发的光生载流子的迁移，使P—N结两端产生了光生电动势，如果他与外电路中的负载接通，则负载电路中将由光电流产生。 硅光电池可分为单晶硅光电池和多晶硅光电池，其中本实验中使用的2DR型硅光电池属于单晶硅光电池。下圖是常用的硅光电池的外形及结构示意图，为提高效率，在器件的受光面上进行氧化，形成SiO2保护膜，以防止表面反射光，并且表面电极做成梳妆，减少光生载流子的复合机会。单晶硅光电池的转换率一般在10%左右，最高可达15%~20%。目前，使用较广发的太阳能电池属于多晶硅光电池，转换率约为7%。多晶硅光电池采用价格低廉的多晶硅作材料，而且可用简单的真空涂镀法制造，其大小不受晶体的大小限制，可制作大面积光电池。 图1 硅光电池的构造 硅光电池的主要特性为： （1）硅光电池的主要参数和照度特性 开路电压曲线。硅光电池在一定的光照条件下的光生电动势称为开路电压，开路电压与入射光照度的特性曲线称为开路电压曲线。 短路电流曲线。在一定光照条件下，光电池被短路时所输出的光电流值称为短路光电流。光电流密度与照度的特性曲线称为短路电流曲线。 图2为硅光电池的开路电压曲线和短路电流曲线，其中曲线1是负载电阻无穷大时的开路电压特性曲线，曲线2是负载电阻相对于光电池内阻很小时的短路电流特性曲线。开路电压与光照度的关系是非线性的，而且在光照度为20001x时就趋于饱和，而短路电流在很大范围内与光照度成线性关系，负载电阻越小，这种线性关系越好，而且线性范围越宽。 图2 硅光电池的光电特性 1－开路电压特性曲线 2－短路电流特性曲线 （2）硅光电池的负载特性 硅光电池的伏安特性与最佳匹配。随着负载电阻的变化，回路中电流I和硅光电池两端的电压U相应地变化，称为硅光电池的伏安特性。当负载电阻取某一值时，其输出功率最大，这称为最佳匹配，此时所用的电阻称为最佳匹配电阻。 硅光电池的内阻。从理论上可以推导出硅光电池的内阻等于开路电压除以短路电流。可以观察到光照面积不同时，硅光电池的内阻将发生变化。 （3）硅光电池的转换效率。硅光电池的最大输出功率与输入光功率的比值称为硅光电池的光电转换效率。 （4）硅光电池的光谱特性。在入射光能量保持一定的情况下，短路电流与不同的入射光频率（波长）之间的关系称为光电池的光谱特性。图3为硅光电池光谱特性曲线，从曲线可看出，硅光电池应用的范围400nm—1100nm，峰值波长在850nm附近，因此硅光电池可以在很宽的范围内应用 图3 硅光电池光谱特性 （5）硅光电池的温度特性。硅光电池的开路电压、短路电流随温度变化的曲线表征了它的温度特性。由于它关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移，影响测量精度或控制精度等重要指标，因此温度特性是光电池的重要特性之一。图4为硅光电池的温度特性曲线，图中可以看出硅光电池开路电压随温度上升而明显下降，短路电流随温度上升却是缓慢增加的。因此，光电池作为检测元件时，应考虑温度漂移的影响，并采用相应的措施进行补偿。 图4 硅光电池温度特性 1－开路电压 2－短路电流 【实验内容和步骤】 测量硅光电池的光谱的响应特性 把入射光挡掉，把检流计打到“×1”挡，然后把检流计调到零。 2．点亮白炽灯光源（12V），并把发光灯丝对焦