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上页 下页 后退 模拟电子 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 硅稳压二极管 1 硅稳压二极管 特点 a. 正向特性与普通管一样 稳压管通常工作于反向电击穿状态 伏安特性 – + iZ uZ uZ Q B A O UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 符号 b. 反向击穿特性很陡 2. 硅稳压管的主要电参数 (1) 稳定电压UZ (2) 动态电阻 (3) 最大允许工作电流IZM (4) 最大允许功率耗散PZM (5) 温度系数 uZ Q B A O UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 温度每变化1?C时UZ的相对变化率。即 UZ 6V管子出现雪崩击穿，αU 为正； UZ 4V 出现齐纳击穿，αU 为负; 4V UZ 6V，αU可能为正，也可能为负。 温度系数 定义： 具有温度补偿的硅稳压管 把一只αU为正的管子与另一只αU为负的管子串联 将两只αU 为正的稳压管串联 (1) DZ1 DZ2 (2) 3. 硅稳压管的等效电路 反向击穿时端电压表达式 反向 正向 理想二极管 uZ Q O UZ iZ IZ UZ0 等效电路 D1 D3 D2 rZ UZ0 4. 硅稳压管稳压电路 R——限流电阻 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ (1) 稳压原理 a. UI不稳定 UI↑ → UO↑ → UZ ↑ → IZ↑ → I↑ → I R↑ 　 UO