2《工程学概论》半导体基本特性02.pptVIP

重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 当PN结外加反向电压（U为负），且|U|UT时，eU/UT→0，则I≈-IS。即反向电流与反向电压大小无关。PN结的反向饱和电流IS一般很小（硅PN结的IS为毫微安量级， 锗PN结的IS为微安量级。 PN结反向特性曲线几乎接近于横坐标 PN结伏安特性曲线 I 随U 按指数规律变化 PN结反向特性曲线几乎接近于横坐标 实际上，当PN结处于正向偏置，且外加正向电压不太大时，IS很小，所以I 仍是很小的数值，PN结几乎不导通。 只有当外加正向电压Ｕ较大时，电流I才会有明显的增加。工程上定义正向电压需达到一定的电压值，正向电流才开始显著上升， 该电压为导通电压，用Uon表示。 通常硅管的Uon≈0.6~0.8 V，锗管的Uon≈0.1~0.3 V 当PN结外加反向电压时，流过PN结的反向电流很小，但是当反向电压不断增大，超过某一电压值时， 反向电流将急剧增加，这种现象称为PN结的反向击穿。 3． PN结的击穿特性 反向电流急剧增加时所对应的反向电压U (BR)称为反向击穿电压 PN结产生反向击穿的原因有以下两种：