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微电子器件可靠性 3 失效物理 3 失效物理 本次课内容： 3.7 CMOS电路的闩锁效应 3.8 静电放电损伤 3.9 辐射损伤 3.10 软误差 3.11 水汽的危害 补充材料： 电子设备中电路板布局、布线和安装的抗ESD设计规则 元器件应用中的静电防护 本次课要点： 了解闩锁效应的机理和解决办法 了解静电的来源，对器件的损伤 辐照效应对器件的影响，抗核加固 什么是软误差 水汽对器件的危害 3.7 CMOS电路的闩锁效应 闩锁效应 是指CMOS电路中寄生的固有可控硅结构被外界因素触发导通，在电源和地之间形成低阻通路现象。 一旦电流流通，电滤电压不降至临界值以下，导通就无法中止，引起器件的烧毁。 闩锁发生的条件 两管增益之积大于1（维持正反馈） 电源电压和电流足够 触发寄生电阻压降大于寄生晶体管EB结正向压降（正偏） 一般10V以上,几十mA 电流。高温时更容易发生。 检测方法 直流电源法 变化电源电压，根据电源电流变化判断； 缺点：有可能误判。 电信号触发法 电源电压不变，信号电压变化，根据电源电流判断； 缺点：有可能触发不了或误判。 扫描电镜法 可以方便检测到失效点； 缺点：比较贵，有可能与ESD混淆。 注：所以要看版图，有无容易闩锁的结构，有无保护等具体分析，而不能只看电流变化和烧毁情况。 发生闩锁的图片 抑制办法 采用SOS工艺，在绝缘衬底上外延单晶硅制作电路绝缘衬底的硅薄膜SOI(Silicon on Insulator)。 SOS 兰宝石衬底外延硅结构 (Silicon on Sapphire结构) 采用保护环，有效降低横向电阻和横向电流密度。(图3.19) 采用外延及阱埋层的方法，减小寄生电阻Rs, Rw和NPN电流放大系数。(图3.20) 改进版图设计：多开电源和接地孔，增加周界，减小接触电阻。 注意使用方法：带电操作, 加电次序 3.8 静电放电损伤 静电源 人体； 机器设备； 工作桌椅； 地板； 工作服装； 包装容器； 组装、清洗测试修理区； 在不同活动中人体的静电势 典型失效机理 热二次击穿 金属融化 体击穿 介质击穿 气体电弧放电 表面击穿 损伤模式 突发性失效：器件参数恶化，完全失去功能。开路，短路，电参数严重漂移。介质击穿，铝条熔断，PN结击穿，闩锁。 潜在性失效：带电体静电势（能量）低，1次ESD不能使器件突然失效。内部损伤，积累。性能退化。抗ESD↓ 静电损伤是累积性和不可恢复的，不能进行筛选试验。 静电击穿照片（如爆炸） 静电放电模型-HBM 人体模型HBM 1.5k 100p 静电放电模型-CDM 带电器件模型CDM 静电放电模型-其他 其他模型: 电场感应模型(FIM) 器件在静电场中，内部感应出电动势引起失效。 机械模型(MM) 类似人体模型 200p 0欧 带电芯片模型(CCM) 类似带电器件模型，无引脚 ESD 等级划分 敏感元件分类-1级 敏感元件分类-2级 敏感元件分类-3级 静电防护措施 防静电工作区：地板 工作台 湿度 接地系统 防静电器具 防护罩 操作者：手腕 工作服 操作 包装 运输 储存 设计防护网络 管理 标志 提示等 补充材料：电子设备中电路板布局、布线和安装的抗ESD设计规则 普通电路中的保护电路 3.9 辐射损伤 来源： 自然环境：天然相射带、宇宙射线、太阳风和太阳光耀斑．它们是一些带电或不带电粒子，包括质子,电子,中子,x射线和γ射线等。 人造环境：如核武器爆炸环 辐射对微电子器件的损伤： 永久损伤：辐射源去除，不能恢复性能。 半永久损伤：较短时间内，可以自行恢复 瞬时损伤：器件性能立即恢复 辐照效应 位移效应：中子不带电，具有很强的穿透能力。可将原子打离原位成为间隙原子，原处留下个空位。 影响：少子寿命(陷阱及俘获中心), 迁移率(散射中心)等。 电离效应：电子、质子、γ射线等辐射粒子进入硅材料并与原子轨道上的电子相碰撞产生电子空穴对而使原子电离。 影响：电导率上升；化学变化，分子结构变化；氧化层中电荷增加，界面态增加。 瞬时辐照效应： γ射线在空间电荷区产生大量电子空穴对。 影响：瞬时光电流；闩锁等 单粒子效应：高能重粒子引起软误差等。 损伤与辐射剂量有关, 材料单位质量吸收的能量值。 单位：戈瑞(Gy) 核电损伤 核武器爆炸时产生的核电磁脉冲，在电子系统的输入电缆或天线回路中产生感应电流，电流流入系统内部，产生瞬时干扰和永久损伤。 感应电流对数字电路损伤较大，能改变其逻辑状态，发生二次击穿而烧毁。 对CMOS电路主要引起栅穿或烧毁保护电路，也可引发闩锁。 对双极型器件，主要对PN结有损伤，引起反向漏电或击穿。 抗核加固 (1)不同类型器