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一、填空题 1.电力电子技术 AC-AC 、 、 DC-AC 和 的新兴交叉学科。 2半导体材料的 效应使得。 由晶闸管构成的逆变器换流方式有??负载 换流和??强迫（脉冲）换流。 4.AC-AC变换是把一种形式的交流电变换成另一种形式的交流电，根据变化参数的不同，AC-AC变化电路可以分为 交流调压 、 和 。半导体材料的 效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然较低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态。 电力电子变流电路中常用的四种换流方式为 、 、 、 。 PWM调制方式根据载波比变化与否可以分为 和 。 1电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术. 。 A、； B、； C、； D、。 。 A、； B、； C、； D、。 。 A、； B、； C、； D、。 Ω，当?=60°时的输出电压 。 A、； B、； C、； D、。 ?越小，?越大，当 时，电路电流的暂态分量为零，只存在稳态电流。 A、??； B、??； C、??； D、??。 1．写出下列英文单词的含义，并指出哪些器件，哪些是型器件。 .在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO GTR 、电力MOSFET IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管晶闸管GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管GTO 、GTR _。 SCR；GTO；GTR；IGBT。 3．什么是电压型逆变电路？什么是电流型逆变电路？二者各有什么特点？ 4．写出下列英文单词的含义，并指出哪些是半控型器件，哪些是全控型器件。 SCR；GTO；GTR；IGBT。 画出晶闸管的电工符号，并标明三个极符号，说明其导通和关断条件。 PWM的含义是什么？简述PWM技术的理论基础。 画出降压斩波电路的电路图，根据输入、输出电压波形简述其工作原理。 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受高压和大电流的能力？SCR、GTR、GTO、IGBT各自代表什么器件，其中那些器件是电流驱动型，哪些是电压驱动型？绘制BOOST电路图，并简述其工作原理。PWM的原理是什么？简要说明如何生成SPWM波。1．图1为流过晶闸管的电流波形，其最大值为Im。计算该电流的平均值、有效值和波形系数；不考虑安全裕量，额定电流100A的晶闸管允许流过的平均电流分别是多少？ 图1 2图2为三相半波可控整流电流，已知变压器副边相电压有效值为220V，R=Ω。试分别画出在触发角电阻性负载（L=0）和触发角大感?）两种负载下的、波形，计算两种情况下晶闸管承受的。 图2 3图3所示的电路工作在电感电流连续的情况下，： (1) 占空比的； （2）； （3）。 图3 4Ω，L=3.18mH，试求： （1）； （2）； （3）图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。 图单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2Ω，L值极大，当α＝30°时，要求： ①作出ud、id、和i2的波形； ②求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次电流有效值I2； ③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。在降压斩波电路中，E=100V， L=1mH，R=0.5Ω，EM=10V，采用脉宽调制控制方式，T=20μs，当ton=5μs时，计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io计算输出电流的最大和最小值瞬时值并判断负载电流是否