变频器功率器件损耗计算-2010020解读.pptVIP

电抗器损耗计算 电抗器损耗包含铜损和铁损，即线包损耗和铁心损耗 铜损 RL(DC)：线包的直流阻抗 IL：流过线包的电流有效值 铁损 W/kg：铁芯的每公斤损耗 WFe：铁芯重量 电抗器损耗计算 W/kg的获取方法 W/kg与频率f以及磁感应强度变化量?B有关，在已知f和?B的情况下，可以查铁芯的损耗曲线获得W/kg，也可以通过下式近似计算 Ptest：铁芯数据手册中给出的在测试磁感应强度和频率下的每公斤损耗值 α， β ：损耗随频率和磁感应强度变化的系数，与铁芯材料有关 铁芯中磁通的频率成分不止一种时，铁芯损耗是各频率铁芯损耗之和 电抗器损耗计算 硅钢片的Ptest 、 α、β Ptest可以从硅钢片的牌号中获得 举例： 类型 牌号 测试频率 测试磁感应强度 无取向硅钢片 新：厚度值的100倍+代号+铁损值的100倍 旧：代号+铁损值的100倍-厚度值的100倍 50/60Hz 1.5T 取向硅钢片 50/60Hz 1.7T 类型 牌号 W/kg 厚度 无取向硅钢片 50W470（DW470-50） 4.7W/kg 0.5mm 取向硅钢片 30Q130（DQ130-30） 1.3W/kg 0.3mm 电抗器损耗计算 硅钢片的Ptest 、 α、β 正弦波条件下，硅钢片的磁滞损耗与频率成正比，与磁感应强度的平方成正比，涡流损耗与频率的平方成正比，与磁感应强度的平方成正比。磁滞损耗和涡流损耗所占比重随频率变化，下图是涡流损耗所占百分比与频率的关系曲线，可见低频下主要是磁滞损耗，高频下主要是涡流损耗。 α、β是综合系数，在低频下取α=1.2， β=2，高频下取α= β=2 电抗器损耗计算 磁感应强度变化量的计算 L：电感量，单位mH； ?Bf：频率为f的电流引起的磁感应强度变化量，单位T； IL(f)：频率为f的电流峰值，单位A； N：线圈匝数； Ae：铁芯截面积，单位mm2。 铁芯重量计算 VFe：铁芯体积，m3； ρFe：铁芯密度，硅钢片一般为7650kg/m3 电抗器损耗计算 计算实例 380V 37kW变频器输入电抗器的电感量为0.16mH，线包直流电阻为12m?，铁芯截面积900 mm2，匝数20，铁芯体积5.274×10-4 m3，使用硅钢片型号DW470-50。满载时电流波形如下 电抗器损耗计算 计算实例 反激电源主电路 反激电源MOS管损耗计算 MOS管损耗构成 通态损耗、开关损耗、驱动损耗 Vdc：输入直流电压 Vo(1)：主反馈输出电压 Rds on：MOS管通态电阻 fs：开关频率 Ids：MOS管电流有效值 Ipk：原边电流峰值 Po：总输出功率 Ib：MOS管导通时原边电流最小值 δ：电源效率 Vds：MOS管两端电压 Lm：原边电感量 Np：原边匝数 D：占空比 Vf(1)：主反馈整流二极管正向压降 Ns(1)：主反馈副边匝数 反激电源MOS管损耗计算 MOS管通态损耗 断续模式： 连续模式： 反激电源MOS管损耗计算 MOS管开关损耗 反激电源MOS管损耗计算 MOS管开关损耗 开通损耗：包括开通过程中电压电流重叠引起的损耗和MOS管输出电容Coss能量通过MOS管泄放引起的损耗。由于开通时MOS管的电流较小(断续模