第2章 P_-N结.pptVIP

2.6 I-V特性的温度依赖关系 硅二极管正向和反向两种偏压下的温度依赖关系 2-10 PN结结击穿 2.9 电荷贮存和反响瞬变 2.9 电荷贮存和反响瞬变 2.9 电荷贮存和反响瞬变 2.9 电荷贮存和反响瞬变 2.9 电荷贮存和反响瞬变 小结 PN结二极管具有开关作用。 2. PN结在开关过程中表现出来的电流和电压的延迟现象称为PN结的反向瞬变。反向瞬变现象起源于PN结的电荷贮存效应。加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并保持在PN结二极管中。这种现象称为电荷贮存。当正偏压突然转换至反偏压时，在稳态条件下所贮存的载流子并不能立刻消除。 2.9 电荷贮存和反响瞬变 小结 3. PN结N侧总的贮存电荷为 （2-106） 贮存时间：PN结在反偏压下去除全部贮存电荷所需要的时间。 5. PN结反向瞬变现象可以根据与时间有关的少数载流子分布示意图予以定性和半定量的解释。 2.9 电荷贮存和反响瞬变 小结 6. 电荷控制分析方法得贮存时间： （2-112） 连续性方程得贮存时间： （2-113） （2-113）近似解即（2-112）。电荷控制分析是一个合理的近似。 2.9 电荷贮存和反响瞬变 小结 7