1-半导体基础及二极管三极管解析.ppt

图1.34 温度对三极管输出特性的影响 1.3.4 三极管的检测 1.已知型号和管脚排列的三极管，判断其性能的好坏 （1）测量极间电阻 （2）三极管穿透电流ICEO大小的判断 （3）电流放大系数β的估计 2.判别三极管的管脚 （1）判定基极和管型 （2）判定集电极c和发射极e 图1.35 判别三极管c、e电极的原理图 1.3.5 特殊三极管 1.光电三极管 光电三极管又叫光敏三极管，是一种相当于在三极管的基极和集电极之间接入一只光电二极管的三极管，光电二极管的电流相当于三极管的基极电流。从结构上讲，此类管子基区面积比发射区面积大很多，光照面积大，光电灵敏度比较高，因为具有电流放大作用，在集电极可以输出很大的光电流。 光电三极管有塑封、金属封装（顶部为玻璃镜窗口）、陶瓷、树脂等多种封装结构，引脚分为两脚型和三脚型。一般两个管脚的光电三极管，管脚分别为集电极和发射极，而光窗口则为基极。图1.36所示为光电三极管的等效电路、符号和外形。 图1.36 光电三极管的符号、等效电路和外形 2.光耦合器 光耦合器是把发光二极管和光电三极管组合在一起的光—电转换器件。图1.37所示为光耦合器的一般符号。 图1.37 光耦合器的一般符号 3.达林顿管（复合管） 达林顿管是指两个或两个以上的三极管按一定方式连接而成的管子，电流放大系数及输入阻抗都比较大。 达林顿管分为普通达林顿管和大功率达林顿管，主要用于音频功率放大、电源稳压、大电流驱动、开关控制等电路。 三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管。图1.26所示为三极管的结构示意图和符号。 图1.26 三极管的结构示意图和符号 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电结：面积较大 发射区：掺杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。 三极管从应用的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。常见的三极管外形如图1.27所示。 图1.27 常见的三极管外形 1.3.2 三极管的电流分配原则及放大作用 要实现三极管的电流放大作用，首先要给三极管各电极加上正确的电压。三极管实现放大的外部条件是：其发射结必须加正向电压（正偏），而集电结必须加反向电压（反偏）。 1.实验结论 为了了解三极管的电流分配原则及其放大原理，首先做一个实验，实验电路如图1.28所示。在电路中，要给三极管的发射结加正向电压，集电结加反向电压，保证三极管能起到放大作用。改变可变电阻Rb的值，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，电流的方向如图中所示。 图1.28 三极管电流放大的实验电路 由实验及测量结果可以得出以下结论。 （1）实验数据中的每一列数据均满足关系：IE=IC+IB； 此结果符合基尔霍夫电流定律。 （2）每一列数据都有ICIB，而且有IC与IB的比值近似相等，大约等于50。 （3）对表1.4中任两列数据求IC和IB变化量的比值，结果仍然近似相等，约等于50。 （4）从表1.4中可知，当IB=0（基极开路）时，集电极电流的值很小，称此电流为三极管的穿透电流ICEO。穿透电流ICEO越小越好。 2.三极管实现电流分配的原理 上述实验结论可以用载流子在三极管内部的运动规律来解释。图1.29为三极管内部载流子的传输与电流分配示意图。 图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图 （1）发射区向基区发射自由电子，形成发射极电流IE。 （2）自由电子在基区与空穴复合，形成基极电流IB。 （3）集电区收集从发射区扩散过来的自由电子，形成集电极电流IC。 3.结论 （1）要使三极管具有放大作用，发射结必须正向偏置，而集电结必须反向偏置。 （2）一般有β1；通常认为β≈β。 （3）三极管的电流分配及放大关系式为： IE=IC+IB IC=βIB 1.3