14第二章-12(3.30)幻灯片.pptVIP

场氧隔离的硅栅n阱CMOS剖面图 2. 形成反型层的条件 半导体表面处的电位称为表面电势，用Vs表示。 费米势VF描述半导体体内本征费米能级和费米能级之差。 设p型半导体电势为0。 2.6.3 阈值电压 阈值电压也称开启电压，是MOSFET的重要参数之一。 其定义是使栅下的衬底表面开始发生强反型时的栅极电压，记为VT。 外加栅压由三部分组成： （1）平带电压 ； （2）栅氧化层上产生的电压降 ； （3）降在半导体表面的耗尽层上Vs = 2VF 。 影响阈值电压的因素： 栅电极材料Vms 不同栅电极材料与硅衬底之间的功函数差不同。（功函数差Vms：费米能级上的电子形成自由电子需要的能量E0-EF。） 先进的CMOS工艺中，NMOS和PMOS器件分别采用n+和p+硅栅，这样有利于NMOS和PMOS的阈值电压对称。 2.栅氧化层 栅氧化层的质量和厚度都会影响阈值电压。通过严格控制栅氧化层质量，可以减少氧化层中的可动电荷，可以减小阈值电压的漂移。 增大栅氧化层的厚度将增大阈值电压。在MOS集成电路中，就是利用厚的场氧化层实现器件之间的隔离，因为厚氧化层的场区对应较大的阈值电压，使其下面的半导体表面不易反型。 3.衬底掺杂浓度 阈值电压公式中的后两项叫本征阈值，这是理想MOS器件的阈值电压。提