半导体物理_学第二章.pptVIP

（1）Au+： Au0 – e Au+ △E Eg EC EV ED 失去唯一的价电子，产生施主能级ED。 （2） Au一： Au0 + e Au一 △EA1 EC EA EV Au接受一个电子后变成Au-，产生受主能级EA1 （3） Au二：Au一 + e Au二 EC EA2 EA1 EV △E= △E Au接受两个电子后变成Au=，产生受主能级EA2 （4） Au三： Au二 + e Au三 Au接受三个电子后变成Au三，产生受主能级EA3 Au在Si中既可作施主，又可作受主，称为两性杂质； 如果在Si中掺入Au的同时又掺入浅受主杂质，Au呈施主作用；反之，若同时掺入施主杂质，则Au呈受主作用。 EC EV EA ED 由于电子间的库仑排斥力的作用，Au从价带接受第二个电子所需的电离能比接受第一个电子时要大，接受第三个对比第二个大，所以EA3EA2EA1。 ?? 深能级杂质在半导体中以替位式的形态存在，一般情况下含量极少，它们对半导体中的导电电子浓度，导电空穴浓度和材料的导电类型的影响没有浅能级杂质显著，但对载流子的复合作用比浅能级杂质强得多。 2.4Ⅲ-Ⅴ族化合物中德尔杂质能级 （1）等电子杂质 特征：a、与本征元素同族但不同原子序数 例：GaP中掺入Ⅴ族的N或Bi b、以替位形式存在于晶体中，基本上 是电中性的。 （2）等电子陷阱 等电子杂质（如N）占据本征原子位置 （如GaAsP中的P位置）后，即 存在着由核心力引起的短程作用力，它们 可以吸引一个导带电子（空穴）而变成负 （正）离子，前者就是电子陷阱，后者就 是空穴陷阱。 N NP (3)束缚激子 例：GaP：N NP+e NP-（等电子陷阱） 之后 NP- +h NP- +h 束缚激子 即等电子陷阱俘获一种符号的载流子后，又因带电中心的库仑作用又俘获另一种带电符号的载流子，这就是束缚激子。 (4)两性杂质 举例：GaAs中掺Si（Ⅳ族） Ga：Ⅲ族 As：Ⅴ族 两性杂质：在化合物半导体中，某种杂质在其 中既可以作施主又可以作受主，这 种杂质称为两性杂质。 Si Ga 受主 SiAs 施主 两性杂质 2.4 缺 陷 能 级 2.4.1 点缺陷 空位：指本体原子缺位； 间隙：指不应有原子的地方加入了一个原子 1、空位、间隙的产生与消失 （1）由体内产生：在较高温度下，极少数的原子热运动特别激烈，克服周围原子化学键束缚而脱离格点，形成间隙原子，原先所处的位置成为空位。这时空位和间隙原子成对出现——弗仑克尔缺陷。 （2）由表面产生：在表面空位和间隙原子都可以单独的产生，然后扩散到体内。这时空位和间隙原子的数目也是独立变化的。 （3）消失过程：空位和间隙原子的产生过程都可以倒过来进行。 在温度保持一定条件下，产生和消失可以达到相对的平衡，这时空位和间隙原子的浓度将保持相对稳定.以上两种由温度决定的点缺陷又称为热缺陷. 2、位错能级（主要指线缺陷） 如图，在位错所在处，有一个不成对的电子成为不饱和的共价键： 若这一不饱和键获得一个电子，起受主作用；而当原子E失去一个价电子，则起施主作用。 一般情况下位错倾向于得到电子，起受主作用，而且产生的受主能级是深能级。 位错周围的晶格发生畸变，引起能带结构的变化。一般情况下，在晶格伸张区，材料的禁带宽度减小；而在晶格压缩区，材料的禁带宽度变大。 利用半导体的杂质补偿效应，可以改变半导体的（ ）类型 A、漂移 B、热运动 C、迁移率 D、导电 硅、锗，砷化镓的能带结构的基本特征 4、砷化镓锗的能带结构 （1） 的负温度特性 （3）直接能隙结构—即价带的最高点与导带的最低点处于K空间的同一点 （2） 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1.1、杂质的类型 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。 杂质在半导体中的分布状况 （1）替位