半导体物理_课件Chapter2.pptVIP

第二章 半导体中载流子的平衡统计分布 §1 状态密度 §2 分布函数 §3 载流子浓度 §4 本征半导体 §5 杂质半导体 热平衡状态 在一定温度下，存在： 产生载流子过程——电子从价带向导带跃迁（产生电子和空穴）；或者从杂质能级向导带跃迁（产生电子）；或者从价带向杂质能级跃迁（产生空穴）。 复合载流子过程——电子从导带回到价带或杂质能级上；或者电子从价带回到杂质能级。 但： 产生数＝复合数 即热平衡状态 问题：热平衡时，求半导体中的载流子浓度? §1 状态密度 讨论半导体中,允许的量子态按能量如何分布—求状态密度g(E) (1)??? 状态密度公式 (2)??? 态密度有效质量 ★ 状态密度(能态密度) 在能量E附近,每单位能量间隔内的量子态数 g(E)= dZ/dE ① k空间中的状态密度: (k空间单位体积中的量子态数) 一维: gk= 2L 三维: gk= 2V ② 在能量E→E+dE间的量子态数dZ 假定在能带极值附近 (例如在导带底附近), 等能面为球面, 且具有抛物线的E ~ k关系,则有: ③ 状态密度(能态密度) g(E)= dZ/dE ?导带底附近: ?价带顶附近: ?态密度随能量的变化: gC ∝ (E-Ec)1/2 gV ∝(Ev-E)1/2 ?态密度与有效质量相关 ★ 态密度有效质量 Si, Ge,导带底附近: (等能面是旋转椭球面, 多能谷,一个BZ中有S个导带底) ? mdn--导带底电子状态密度有效质量 Si, Ge,价带顶附近: (轻,重空穴带) ? mdp –价带顶空穴状态密度有效质量 §2 分布函数 讨论在热平衡条件下,载流子在允许的量子态上如何分布—分布函数f(T) (1)??费米分布函数 (2) 玻尔兹曼近似 ★ 费米分布函数 能量为E的一个量子态被电子占据的几率—电子的费米分布函数 EF--费米能级,是描述平衡的电子系统的一个参量, 是一个重要的物理量 关于费米能级 ? ① 费米能级即为系统的化学势. 处于热平衡的电子系统有统一的EF . ? ② 热平衡条件下, 系统EF的位置必须满足电中性条件-- EF是电子填充水平的一个标志 ? ③ 费米分布函数f(E)是温度的函数. 在EF上下几个kT的范围内,费米分布函数(电子占有几率)有很大的变化 ★ 玻耳兹曼近似 当导带中状态占有几率很小, Pauli不相容原理可以不考虑, 则Fermi量子统计回到Boltzmann经典统计. 即分布函数为: 此时的电子系统--非简并性系统, 反之,则为简并性系统 当(EC-Ef)几kT, 导带量子态被电子占据的几率很小, 导带电子的分布函数为: 当(Ef -EV) 几kT, 价带量子态不被电子占据的几率很小(被空穴占据的几率很小), 价带空穴的分布函数为: §3 载流子浓度 (1)??? 导带电子浓度和价带空穴浓度 (2)??? 电子和空穴的浓度乘积 ★ 导带电子浓度和价带空穴浓度 导带底附近电子能态密度为gC(E), 导带电子分布函数f(E) 价带顶附近空穴能态密度为gV(E), 价带空穴分布函数1-f(E) 单位体积,单位能量间隔内的 导带电子 dn/dE= (1/V) gC(E) f(E) 价带空穴 dp/dE= (1/V) gV(E) [1-f(E)] 导带电子浓度： 价带空穴浓度： 积分后,得到: 导带电子浓度 导带等效状态密度 导带电子浓度等效于导带底具有状态密度Nc时的电子浓度. 同样, 价带空穴浓度 价带等效状态密度 价带空穴浓度等效于价带顶具有状态密度Nv时的空穴浓度. 可以看到: n,p 与E