11-2年_半导体物理第二章.pptVIP

中性 受主 施主 位错原子与周围3个原子形成共价键，1个不成对电子形成不饱和共价键。 位错原子与周围3个原子形成共价键，不饱和键俘获1个电子带负电。 位错原子与周围3个原子形成共价键，失去不成对电子带正电。 　硅、锗半导体中位错能级及对能带的影响 2.3-2 位错能级 压缩区 伸张区 1、位错附近存在一个随距离增加而减弱的应变场； 2、位错附近一侧晶体被压缩，禁带宽度增大；一侧晶体被伸 张，禁带宽度减小； 3、比格点原子大的杂质原子倾向在晶体被伸张一侧聚集，比 格点原子小的杂质原子倾向在晶体被压缩一侧聚集； 4、降低杂质激活能，杂质沿位错扩散速度大大增加； 5、影响晶体生长； 6、使晶体缺陷运动； 7、沿位错的化学腐蚀速度高； 8、位错密度较高时，位错和杂质补偿，使载流子浓度降低； 位错能级 位错能级 0.2-0.35 0.6 产生深受主能级， 位错附近禁带变化， 压缩区 伸张区 Si半导体 Ge半导体 -- 形变常数（单位体积形变对应的导带底、价带顶变化） -- 无位错导带底、价带顶 C、高度补偿 施主释放的电子基本全部填充受主能级，导带电子浓度和价带空穴浓度很低。 有效杂质浓度， ，为赝本征半导体。 赝本征半导体能带， 利用杂质补偿，通过半导体工艺，选择性改变半导体芯片局部区域导电类型或导电能力，制作半导体器件。 杂质补偿原理的应用 N型杂质 P-Si N型区 高浓度P型区 P-Si P-Si P-Si P型杂质 PN结 欧姆接触 　硅中各种杂质能级测量结果 特点： A、深能级；B、多能级；C、双性；D、大部分是替位式杂质 + — 施主能级、- — 受主能级、？— 还不确定 2.1-5 深能级杂质、多能级杂质、双性杂质、杂质自补偿 Li + 0.033 Mg - - - - 0.11 0.25 0.55 0.17 Te + + 0.14 ? + + - - Hg 0.31 0.36 0.25 0.33 深能级 深施主能级 --离导带底较远的施主杂质能级 深受主能级 -- 离价带顶较远的受主杂质能级 多能级杂质 杂质多次电离，每次电离相应一个能级，称为多能级杂质。 同种杂质在同一半导体的晶格位置上，既可释放电子形成施主能级，又可接受电子形成受主能级。 双性杂质 金在硅、锗半导体的能级 0.04 0.04 0.20 0.15 0.54 0.35 金在锗半导体中的能级 金在硅半导体中的能级 Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Au Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Ge Au 价电子6s1 中性态 产生五种荷电状态和对应能级， 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质 杂质原子的空间位置 Ⅲ族或V族原子 杂质原子 替位式 间隙式 Ⅲ族或V族原子 T 砷化镓中杂质及其能级 锂 铜 银 金 铍 镁 锌 镉 铬 碳 硅 锗 锡 铅 锰 铁 钴 镍 钒 碲 硒 硫 A、I族元素 I族元素一般在砷化镓中引入受主能级，起受主作用。 银--替位，受主能级（EV+0.11）eV、（EV+0.238）eV； 金--替位，受主能级（EV+0.09）eV； 铜--替位，受主能级（EV+0.14）eV、（EV+0.44）eV； --替位铜原子对Cu-Cu，受主能级（EV+0.24）eV； --间隙，施主能级（EC-0.07）eV； 锂--间隙，受主能级（EV+0.023）eV； 钠--施主，迁移率高、不稳定，不作为掺杂剂； B、Ⅱ族元素 铍、镁、锌、镉比镓原子少1个价电子，倾向替位取代镓原子，获得一个电子形成共价键，产生浅受主能级：（EV+0.030）eV、（EV+0.030）eV、（EV+0.024）eV、（EV+0.021）eV； C、III族元素和V族元素 III族、V族元素掺入不是由其本身形成的III-V族化合物半导体时，III族原子替代III族格点原子，V族原子替代V族格点原子，一般为电中性态，不产生杂质能级。 等电子杂质效应 杂质原子替代同族原子（等电子杂质）后，再俘获电子或空穴带电，称为等电子效应，形成的带电中心称为等电子陷阱。 若等电子杂质负电性大于被替代原子，俘获电子形成负电中心； 若等电子杂质负电性小于被替代原子，俘获空穴形成正电中心。 Ⅲ族或V族原子 杂质原子 例：磷化镓GaP中掺N P Ga Ga Ga Ga N取代Ｐ后,捕获电子成负电中心 0.008 N原子价电