固体物理 _第7章 半导体电子论1.pptVIP

* 第七章 半导体电子论 由于半导体内部电子运动的多样化，它的性质密切依赖于杂质、 光照、温度、压力等因素，因此半导体具有极其广泛的应用。 §7-1 半导体的基本能带结构 半导体的能带情况是：存在一系列满带，最上面的满带称为价带； 存在一系列空带，最下面的空带称为导带。由于价带顶和导带底之间 的带隙较小，因此在一般温度下，导带底有少量电子，价带顶有少量 空穴，半导体就是依靠这些少量的载流子导电的。 一、半导体的带隙 光照可以激发价带的电子到导带，形成电子—空穴对，这个过程 称为本征吸收，本征光吸收光子能量应该不小于价带与导带之间的带 隙宽度，因此存在长波极限： ，称为本征吸收边。 在本征吸收边附近的光跃迁有两种类型。第一种类型对应于导带 顶和价带顶在k空间相同的的情况，如下图。 由于电子吸收光子自价带k状态跃迁到导带 态除了需要满足能量守恒外，还需满足动量守恒，即 。在讨论本征吸收时，由于光子的动量可以忽略，因此光吸收的跃迁选择定则可以近似成 ，也就是说，在跃迁过程中，波矢可以近似看成不变，在能带的图 上，初态和末态几乎在同一竖直线上，因此这样的跃迁称为竖直跃迁。 第二种类型对应于导带底和价带顶在k空间不同点的情况。这时在本征吸收边附近的