历年真题 电子技术基础三2009-2014.docVIP

全国2009年4月自学考试电子技术基础(三)试卷 课程代码：04730 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.两个串联元件A、B上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知U1=2V，I=5A，U2=-4V，则( ) A.元件A吸收功率10W，元件B吸收功率20W B.元件A产生功率10W，元件B产生功率20W C.元件A产生功率10W，元件B吸收功率20W D.元件A吸收功率l0W，元件B产生功率20W 2.实际电压源和电流源模型中，其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是( ) A.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻串联 B.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻串联 C.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻并联 D.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻并联 3.若正弦电压（V），(V)，则u2相位( ) A.超前u1相位 B.滞后u1相位 C.超前u1相位 D.滞后u1相位 4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所示，则可以判断该管为( ) A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道耗尽型MOS管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 5.某放大器在1KΩ负载电阻上测得输出电压为1V，在4.7KΩ负载电阻上测得输出电压为1.65V，则该放大器的输出电阻等于( ) A.1KΩ B.2KΩ C.4.7KΩ D.5.7KΩ 6.同相比例运算电路与反相比例运算电路的Rif相比较，则( ) A.反相比例运算电路的Rif大 B.同相比例运算电路的Rif大 C.两者Rif一样大 D.两者Rif不可比较 7.在反相比例运算电路中，下列说法错误的是( ) A.同相端接地u+=0 B.u-=0 C.共模输入uic=0 D.差模输出u0=0 8.单相桥式整流电路，U2为变压器副边电压有效值，则输出电压平均值UO(AV)为( ) A.0.9U2 B.U2 C.2U2 D.3U2 9.下列集成稳压器中，其输出电压为+6V的是( ) A.7906 B.79M06 C.7806 D.7809 10.AB=( ) A. B. C. D.AB 11.某逻辑电路真值表如题11表所示，其函数F的表达式是( ) A.F= B.F= C.F=A D.F=B 12.已知波形图如题12图所示，其逻辑函数Y的表达式为( ) A.Y= B.Y=AB C.Y= D.Y=A+B 13.若要使表达式Y=ABCD为0，则ABCD的取值组合为( ) A.0001 B.001l C.0111 D.1110 14.题14图所示电路为同步D触发器，设初始状态为0，则经过一个cp脉冲后，其Q端状态为( ) A.l B.0 C. D. 15.题15图所示可编程PLA器件中，A和B为输入变量，则输出变量F为( ) A.F=B+AB B.F=AB+A C.F=AB+ D.F=B+A 二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 16.电路如题16图所示，ab两端的等效电阻Rab等于________Ω。 17.电路如题17图所示，电流I等于________A。 18.正弦电压V，则该电压的角频率等于________rad/s。 19.N沟道增强型MOS管工作在放大区(恒流区)时，则其漏极电流只受________电压的控制。 20.共射-共集构成的两级级联放大电路，其输入电阻由________放大器决定。 21.电压并联负反馈能够________输入电阻。 22.理想运放在线性区内其同相输入端与反相输入端的输入电流为________。 23.若在电路中发现集成运放处于开环应用，则此电路必为________。 24.三端集成稳压器78M05的输出电流为________A。 25.低压差集成稳压器的效率比普通线性集成稳压器的效率________。 26.十进制数“93”用“8421BCD”码表示为________。 27.有三个输入端的与非门电路，要求输出高电平，则其输入端应至少有________个输入端为0。 28.题28图所示电路为多路输出选择器(DEMUX)，X为数据输入端，P0，P1，P2，P3为输出端，S1，S0为选择输入端。当X=1，S1S0=11时，则P3=________。 29.题29图所示电路的状态方程Qn+1=________。 30.PAL电路的结构特点是与阵列可编程，或阵列_______