DB-86A说明书解析.doc

 STZ-8半导电型号鉴别仪简介 STZ—8型半导体导电型号鉴别仪是为了鉴别硅单晶材料的导电类型“P”和“N”的测量仪器，是采用温差效应和整流效应两种方法相结合综合性的测量导电型号仪器。测量范围广，所测硅材料的电阻率从10-4Ω-cm ∽ 108Ω---cm，仪器采用高灵敏度放大电路和判别电路，将材料上的微弱信号放大，判别出不同型号材料后，用“P”、“N”数码直接显示，仪器采用手持式探针探头，使用简单、操作方便且寿命长，仪器适合半导体材料厂、器件厂和科研部门的需要。 主要技术指标 1．测量范围：硅单晶材料电阻率 10-4Ω—cm∽103Ω—cm 温差法 10-4Ω—cm-1 Ω—cm 整流法 10-1Ω—cm∽103 Ω—cm 2．可测量材料：半导体硅棒和硅片 Φ15 -- Φ 150mm 以上 3．显示方式：P、N灯显示 4．测试探头：手持式三探针间距 5mm ，探针直径 Φ1mm 高速钢 仪器尺寸：100mm×260mm×260mm BD-86A型半导体电阻率测试仪 一．概述 BD-86A型半导体电阻率测试仪是根据四探针原理，作为普及型半导体电阻率测试仪器适合半导体器材厂、材料厂用于测量半导体材料（片状、棒状）的体电阻率，方块电阻（薄层电阻）；也可以用作测量金属薄层电阻。经过对用户、半导体厂测试的调查，根据美国ASTM标准的规定，在电路和探头方面作了重大的修改和技术上的许多突破。它更适合于半导体器材厂工艺检测方面对中值、高阻硅、锗材料方块电阻和体电阻率的测量需要，成为普及型的电阻率测试仪，具有测量精度高、稳定性好、输入阻抗高、使用方便、价格低廉等特点。 仪器分为电气箱和测试架两部分，仪器电气箱由直流数字电压表、高抗干扰、高度隔离性能的电源变换装置，高稳定、高精度的恒流源所组成。测量结果由LED数字显示、零位稳定、输入组抗高，仪器并设有自校功能，在片状材料测试时，具有系数修正功能，使用方便、测试架结构新颖、外形美观，探针为合金材料，配用宝石导向，具有测量精度高、游移率小、耐磨和寿命长的特点，而且压力可调恒定，备有手动探针测试台，自动控针测试台，供用户选择。 本仪器为国内最新研制出的普及型半导体电阻率测试仪器，特别适合于薄片材料测量。 二．仪器主要技术指标； 测量范围：电阻率 10-3∽103 分辩率为10-4Ω—cm，可扩展到105Ω—cm 方块电阻 10-2Ω/104Ω/□，分辩率为10-3Ω/□，可扩展到108Ω/□ 薄层金属电阻 10-4∽105Ω，分辩率为10-4Ω—cm 可调半导体材料尺寸：直径：Φ15 ∽ Φ 100 mm 长度：150mm 3．测量方式：轴向、断面均可 4．数字电压表：（1）量程：20mV（分辩率：10μV）、 200mV（分辩率：100μV）、 2V（分辩率：1mV）、 （2）测量误差：±0.3%读数±2字 (3)输入阻抗:大于108Ω (4)显示3 1/2位红色发光二极管(LED)数字显示, 0 ∽ 1999.具有极性、过载、小数点、单位自动显示 5．恒流源：由交流供电，具有良好的防泄漏隔离功能 直流电流：0 ∽ 100mA连续可调 量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 分辩率：10μA、0.1μA、1μA、10μA、0.1mA 电流误差:（±0.3%读数±2字） 6.电性能模考核误差:±0.3% 符合ASTM指标 7.测试探头: （1）探针间距：S = 1mm 探针机械游移率: ±0.3% (3)压力恒定可调 8.电源:交流220V±10% 50HZ或60HZ 功率消耗 30W 9.电气箱外形尺寸:199×440×280mm 三．工作原理 （一）直流四探针测试法测试原理简介如下： 1．体电阻率测量 1 2 3 4 S1 S2 S3 图（3-1）四探针法测量原理图 当1、 2.、3、4 根金属探针排成一直线时,并以一定压力在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生半导体材料上。 V 材料电阻率ρ= --------- · （ Ω · Cm ） （3-1） I 式中 C 为探针系数，由探针几何位置决定 当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足无限大条件时 V