第1章4讲场效应管要点.ppt

* 说明： 将内部载流子的运动是以更好地理解外特性为目的。 本节课的教学目的： 1、晶体管能够放大的内部原因和外部条件是什么？为什么在上述情况下会放大？ 2、什么是晶体管的共射输入、输出特性？温度对它们有什么影响？ 3、理解晶体管三个工作区的特点，学会判断电路中晶体管工作状态的方法。 4、掌握晶体管主要参数的物理意义。 * * * * * * * * * * * * * * * * * 增强型N沟道MOSFET在uGS=0时，管内没有导电沟道。而耗尽型则不同，它在 uGS =0时就存在导电沟道。因为这种器件在制造过程中，在栅极下面的SiO2绝缘层中掺入了大量碱金属正离子(如Na++或K++)，形成许多正电中心。这些正电中心的作用如同加正栅压一样，在P型衬底表面产生垂直于衬底的自建电场，排斥空穴，吸引电子，从而形成表面导电沟道，称为原始导电沟道。 由于uGS=0时就存在原始沟道，所以只要此时uDS0，就有漏极电流。如果uGS 0,指向衬底的电场加强，沟道变宽，漏极电流iD将会增大。反之，若uGS 0，则栅压产生的电场与正离子产生的自建电场方向相反，总电场减弱，沟道变窄，沟道电阻变大， iD减小。当uGS继续变负，等于某一阈值电压时，沟道将全部消失， iD =0，管子进入截止状态。 * * * * * * * 第四讲 场效应管 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 一、场效应管的分类(field effect transistor) 1、结型场效应管（JFET)结构和符号 P+ P+ N G S D 导电沟道 二、场效应管的结构和符号 （一）结型场效应管（JFET) （1） VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时PN结反偏 当沟道夹断时,ID减小至0，此时对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。 对于N沟道的JFET，VP 0。 耗尽层加厚? 沟道变窄? VGS继续减小，沟道继续变窄， ID继续变小。 D P+ P+ N G S VDS ID VGS 当VGS=0时，沟道最宽，沟道电阻最小，在VDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID,此时最大。 沟道电阻变大? ID变小 根据其结构，它只能工作在反偏条件下，N沟道管加负栅源电压， P沟道管加正栅源电压，否则将会出现栅流。 2、结型场效应管（JFET)工作原理 当VGS=0时，VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? ? 夹断区延长? 沟道电阻? ? ID基本不变 D P+ P+ N G S VDS ID VGS （2） VDS对沟道的控制作用 当VP VGS0 时， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP D P+ P+ N G S VDS ID VGS (3) VGS和VDS同时作用时 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制. 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG?0，输入电阻很高。 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ (2) 输出特性 VP (1) 转移特性 3、结型场效应管（JFET)的特性曲线 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 VDS为常数时，漏极电流约为零时的VGS值 VGS=0时对应的漏极电流 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 4、结型场效应管（JFET)主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的