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交流变频调速技术 第2章 常用电子器件原理及选择 §2-0 主电路器件 交-直-交的主电路需用大功率整流二极管，比较简单（略） 逆变器主要是大功率、耐高压SCR(silicon controlled rectifiier可控硅，或thyristor晶闸管)、 GTO(gate turn-off thyristor门极可关断晶闸管)、 GTR（grant transistor大功率晶体管)、 IGBT(insulated gate bipolar transistor绝缘栅双极型晶体管） IGCT(integreted gate commutated thyristor集成门极换流晶闸管） MOSFET(metal oxgen field transistor金属氧化物场效应管） SIT(static induction transistor静电感应晶体管） SITH(static induction thyristor静电感应晶闸管） MCT(MOS-controlled thyristorMOS控制晶闸管） IPM(intelligent power module 电力电子器件） 两个要求： 1.耐高压和大电流。2.允许频繁开关且控制方便 §2-1 晶闸管的结构原理及测试 1.结构：SCR或TH器件是四层（三个PN结）三个极的大功率 半导体器件。 A－阳极 K－阴极 G－门极 是单向导电，正向导通的可控元件， 导通条件：必须同时具备A-K间正向电压、G-K间正向触发电压、门极电流 K G A K A G K A G K A G 2.原理:相当复合管正反馈电路。IG↑→ Ib2 ↑(PNP导通）→ IC2 ↑ = Ib1↑→ Ic1 ↑(NPN导通）→ Ib2↑两管饱和导通，若使晶闸管关断，应设法使IA和IB2减小到维持电流以下。 （元件特性实验例：教材 P27 图2-2） P1 P2 N1 N2 A K G P1 A K N2 G P2 N1 P2 N1 J1 J2 J3 IA Ic2 IG A R EA EG PNP NPN Ic2 Ib1 IK G K Ib2 IG 电阻挡R×1K档应为数百KΩ （1）用R×1KΩ档测任意两管脚，其中有一管脚对另外两管脚正反 向电阻 都很大，在几百KΩ以上，此管脚就是A(阳极)，再R×10Ω 档测另外两个管脚的阻值，应为几十～几百Ω（反向），正反向电阻不同，测阻值小的时候，黑表笔所接管脚为G（门极），最后剩下那一管脚就是 K(阴极）。 （2）若正反向测阻值都很小（用R×10Ω档指示接近0）说明PN结击穿短路已损坏了，反之若用R×1KΩ档测阻值全无穷大（不通）说明PN结断路，也损坏了。切记：不能用R×10K以上档测门极G与阴极K之间电阻。 （3）SCR或TH晶闸管一般都是成对使用，应选阻值一致或接近的用在同一桥臂、同一电路中。另外参数要有裕量电流2.5倍，反向电压4～6倍。 3.晶闸管选择、管脚判别与测试 电阻挡R×1K档应为数百KΩ 电阻挡R×10档应为几十～几百Ω（反向） 电阻挡R×10K档反向应不通 P1 P2 N1 N2 A K G P1 P2 N1 N2 A K G 结论：由于不具自关断能力，主电路保护电路和触发复杂，不太可靠 性能上的缺陷，是早期应用元件，但其原理是后续发展元件的基础。 4.门极可关断晶闸管（GTO) GTO-门极可关断晶闸管作为改进型TH管除了保持SCR全部性能，还具有灵敏度较高的自关断能力。GTO的开关频率只能在2KHZ以下，还有GTO用在脉宽调制技术中难以得到理想的正弦脉宽波形，波形畸变会使电动机调速时产生刺耳的噪声，目前GTO已较少应有。 GTR是把模电所学的晶体管加大成耐高压、大电流的多个管子组合在模块中，成为电力晶体管（达林顿管），结构为三管脚的硅块，变频器中一般用6个管组成一单元的模块，其外形、图形符号、二管等效电路如下： §2-2 功率晶体管（GTR) 2. 功率晶体管的工作原理和主要参数 工作原理等同模电学过的晶体管放大电路（略） 晶体管放大电路基本的三个工作状态：放大、饱和（导通）、截止（关断），GTR在逆变器中作开关器件，所以总是在饱和和截止两种状态交替变化，所以逆变用的GTR额定功率通常很小，如在放大状态，其功耗将增大达百倍以上，GTR模块不允许在放大状态稍作停留！！ （1）.开路阻断电压UCEO-是指基极开路时集电极与发射极之间能承受的持续的电压。其反映了GTR的最大耐压能力，在通用变频器中380V低压电网，大多使用UCEO为1200V的GTR模块。选择GTR模块，没有散热因素一般按超过电源线电压UL的峰值2倍： UCEO≥2√2 UL （2）.集电