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Monte Carlo方法在无机材料研究中的应用 晶粒生长 偏析 晶体生长 显微结构及其离散化 结点的区域化 晶粒生长 能量计算 烧结传质过程 扩散传质 液相-固相晶粒生长模型 计算过程 随机选取一个单胞 如果选取的单胞是液相（q=0) 如果周围都是液相，不再分布，回到1 模拟结果 Recrystallization 偏析 表面偏析元素的性质； 在一定的温度下表面浓度与体浓度（Bulk concentration）的关系，即偏析等温线。温度和表面晶体取向对偏析等温线的影响； 表面偏析程度，即浓度深度分布图。浓度分布特性（振荡或单调）； 平行于表面的各层中的浓度变化。结晶学上的结构重建、化学上的有序化或相分离。 合金表面偏析能量模型 Ising模型 BFS模型 Ising模型 下标n，m表示晶格位置，i，j表示合金元素种类。p为占据数，如果n格点上被i原子占据，则p为1，否则为0。ε为n格点上的i原子与m格点上的j原子的相互作用结合能。 二元合金体系AcB1-c E0表示母晶B的结合能，?表征纯晶体A与B的结合能的差，V表征近邻原子间形成同种原子键（0）或异种原子键（0）的倾向。 只考虑第一近邻相互作用 Zn为晶格位置n第一近邻原子数。 晶体外延生长过程中各种可能发生的事件 (a)沉积；(b)吸附原子在平面区的扩散；(c)岛的成核；(d)向台阶边缘的扩散及捕获；(e)从岛的分离；(f)平行于台阶的扩散；(g)由上层向下层的扩散；(h)新岛在已形成的岛上的成核；(i)双聚体或更大的岛的扩散 * * 状态1：H=13 第一近邻相互作用 状态2：H=12 状态3：H=12 状态4：H=11 状态5：H=7 溶解-析出传质 蒸发-凝聚传质 Potts模型 方向数q:1—64 0：液相 界面能： Ess=1(与取向无关） EsL=(0.5, 0.1, 0.1) 如果周围有固相存在，则该单胞取某个固相的方向数；然后，从该单胞出发在液相中随机行走，直到走到固相，该固相单胞变成液相。跳到4。 如果选取的单胞是固相 如果周围都是固相，方向数取周围的某个值。跳到4。 如果周围有液相存在，则该固相单胞变成液相；然后，从该单胞出发在液相中随机行走，直到走到固相，前一步的液相单胞成为固相，方向数取走到的固相的值。进到4。 4. 舍取， H(x2) H(x1)，取； H(x2)= H(x1)，产生[0,1]随机数? ?=exp(? H/kT), 取； ?exp(? H/kT), 舍。 时间（MCS）：N次试验（与舍取无关），N为总单胞数。 High gSL Low gSL Anistropic gSL 表面偏析能 表面偏析的驱动力主要有两个： 纯A和B的表面能差； 体系有序化（V0）或相分离（V0）的倾向。 表面能低（?0）或者易相分离（V0）的体系，容易产生表面偏析（ΔE0）。 *