N-2.2 压阻式传感器幻灯片.pptVIP

恒压源 当 r = 0.635 r0 时， ?r =0 r 0.635 r0 时， ?r 0 r 0.635 r0 时， ?r 0 灵敏度温度漂移 * * 2.2 压阻式传感器 2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿 2.2.1 半导体的压阻效应 固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这种效应称为压阻效应 半导体材料的压阻效应特别强。 压阻式传感器的灵敏系数大，分辨率高。频率响应高，体积小。它主要用于测量压力、加速度和载荷等参数。 因为半导体材料对温度很敏感，因此压阻式传感器的温度误差较大，必须要有温度补偿。 压阻效应 金属材料 半导体材料 半导体电阻率 πl为半导体材料的压阻系数，它与半导体材料种类及应力方向 与晶轴方向之间的夹角有关； E为半导体材料的弹性模量，与晶向有关。 对半导体材料而言，πl E (1+μ)，故(1+μ)项可以忽略 半导体材料的电阻值变化，主要是由电阻率变化引起的， 而电阻率ρ的变化是由应变引起的 半导体单晶的应变灵敏系数可表示 半导体的应变灵敏系数还与掺杂浓度有关，它随杂质的增加而减小 影响压阻系数因素：扩散电阻的表面杂质浓度和温度。扩散杂质 浓度NS增加时， 压阻系数就会减 小。压阻系数与 扩散电阻表面杂 质浓度NS的关系 如图。 120 140 100 80 60 40 20 1018 1019 1020 1021 表面杂质浓度NS (cm-3) P型Si(πl) N型Si(-πl) ? πl(×10-11m2/N) T=24℃ 压阻系数与表面杂质浓度NS的关系 2.2.2 体型半导体电阻应变片 结构型式及特点 测量电路 1. 结构型式及特点 主要优点 灵敏系数比金属电阻应变片的灵敏系数大数十倍 横向效应和机械滞后极小 温度稳定性和线性度比金属电阻应变片差得多 半导体应变电桥的非线性误差很大，故半导体应变电桥除了提高桥臂比、采用差动电桥等措施外，一般还采用恒流源. 恒流源电桥 若右图所示的电路输入 阻抗较高，则有： I1 ( R1+R2 )=I2 ( R3+R4 ) I = I1+ I2 1. 电桥输出电压与电阻变化量的关系 解该方程组得: 输出电压为: 若电桥初始平衡，且R =R2 =R3=R4=R，当第一桥臂电阻R1 变为R1+ΔR1 时，电桥输出电压为： 若满足ΔR1R1 ，则 输出电压与ΔR成正比，即与被测量成正比。 输出电压与恒流源供给的电流大小、精度有关，与温度无关。 使用恒流源的非线性误差为： 2. 非线性误差 2. 非线性误差 若采用恒压源，非线性误差为： 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 压阻式压力传感器结构简图 1—低压腔 2—高压腔 3—硅杯 4—引线 5—硅膜片 采用N型单晶硅为传感器的弹性元件， 在它上面直接蒸镀半导体电阻应变薄膜 工作原理： 膜片两边存在压力差时，膜片产生变形，膜片上各点产生应力。 四个电阻在应力作用下，阻值发生变化，电桥失去平衡， 输出相应的电压，电压与膜片两边的压力差成正比。 四个电阻的配置位置： 按膜片上径向应力σr和切向应力σt的分布情况确定。 扩散型压阻式压力传感器特点 优点: 体积小，结构比较简单，动态响应也好，灵敏度高，能测出十几帕的微压，长期稳定性好，滞后和蠕变小，频率响应高，便于生产，成本低。 测量准确度受到非线性和温度的影响。智能压阻式压力传感器利用微处理器对非线性和温度进行补偿。 2.2 压阻式传感器 2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿 2.2.4 压阻式加速度传感器 它的悬臂梁直接用单晶硅制成，四个扩散电阻扩散在其根部两面 。 扩散电阻 质量块 基座 应变梁 a 2.2 压阻式传感器 2.2.1 半导体的压阻效应 2.2.2 体型半导体应变片 2.2.3 扩散型压阻式压力传感器 2.2.4 压阻式加速度传感器 2.2.5 测量桥路及温度补偿 *