区熔提纯课件.ppt

第二章　区熔提纯 一种物理提纯方法 制备超纯半导体材料和高纯金属的重要方法 区熔理论是研究杂质在晶体中分布规律的重要依据 表2-1　硅、锗中主要杂质的分凝系数 有效分凝系数 BPS公式 第二章　区熔提纯 第二章　区熔提纯 第二章　区熔提纯 第二章　区熔提纯 小结 * 西安邮电学院电子工程系 第二章　区熔提纯 将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度是不同的，该现象叫分凝现象或偏析现象。 分凝现象 §２.1　分凝现象和分凝系数 第二章　区熔提纯 平衡分凝系数 在一定温度下，平衡状态时，杂质在固液两相中浓度的比值。 平衡状态：无限缓慢地结晶，杂质在固相和液相中充分扩散。 第二章　区熔提纯 第二章　区熔提纯 第二章　区熔提纯 非平衡状态：以一定的速度结晶，结晶速度大于杂质在熔体中的扩散速度。 杂质在界面附近熔体中堆积，形成浓度梯度 加快向熔体内部扩散 达到动态平衡：单位时间内，界面排出的杂质量与扩散等离开界面的杂质量相等，在界面薄层中浓度梯度不再改变。 第二章　区熔提纯 为了描述界面处薄层中杂质浓度偏离对固相中的杂质浓度的影响,引出有效分凝系数： Cs: 固相杂质浓度 CL0: 熔体内部的杂质浓度界面不移动或者移动速度→0时（无限缓慢结晶时）, CL0 →CL，，Keff→K0以一定速度结晶时, C