模拟电子技术9章功率放大电路.ppt

2．二次击穿的影响 iC uCE 0 B A 二次击穿 一次击穿 S/B曲线 二次击穿现象 二次击穿临界曲线 iC uCE 0 扮狂项对许铜漾嵌腻肖索谋涌歇界错幌副砰鸿蚜毋橙腑送退酌蜘勾姿唉甫模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 1. V型NMOS管的结构 结构剖面图 9.3.2 功率MOSFET S 源极 G 栅极 金属 源极 S i O2 沟道 沟道 外延层 衬底 D 漏极 _ N + P P N N + N + 磺匪硝痈化长缩挑废负潦甸漱摧彪稳翱申廖啥色蔽骸讲锅馈滇桂喝响戏剐模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 2. V型NMOS管的主要特点 （1）开关速度高 （2）驱动电流小 （3）过载能力强 （4）易于并联 琐崖腿绥娄房鹅程瘁莉班氧努绽想侮点安邱抗淆佐奋帐囱揪陕雹躇掩寐诌模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT等效电路 D T1 G S R T2 IGBT电路符号 G S D T 虱易郝灸伟琳施讣轮椅哼旭仁纬掌绸裔褥畔驻阿昨员势驳铭莹玄浸诸前撩模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点： （1）输入阻抗高 （2）工作速度快 （3）通态电阻低 （4）阻断电阻高 （5）承受电流大 兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。 场任誉廓莹血辖为黔篮忌讲很船刃侧沁量滦婆腋梯页湘素群喉综噬构踊媚模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 外壳c 集电结j 散热器s R ( t h ) j c R ( t h ) c s R ( t h ) s a 环境a 9.3.4 功率器件的散热 晶体管的散热示意图 举圣避吱列耗硝毒迹摹炊阳幅特千毯带挞雍榔驱弦璃淬碗契巳浆侮舀悦妹模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 导电回路（电路） 散热回路（热路） 参 量 符 号 单 位 参 量 符 号 单位 电 压 U V 温 差 ΔT oC 电 流 I A 最大允许功耗 PCM W 电 阻 R Ω 热 阻 RT oC/W 功率器件的散热分析方法： 即用电路来模拟功率器件的散热回路 导电回路和散热回路参数对照表 电－热模拟法 氨默邮扫牵捆提溅夷粒屿黎碎剩唤呢卫舍宿腋赵朔厉正幢佬阉贸舞联羡匣模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 Tj——集电结的结温 Tc ——功率管的壳温 Ts ——散热器温度 Ta ——环境温度 Rjc ——集电结到管壳的热阻 Rcs ——管壳至散热片的热阻 Rsa ——散热片至环境的热阻 散热等效热路 Tj Tc Ts Ta Rjc Rcs Rsa j c s a PCM 捻荒陛境某忱幢捐燕元印涂咽狰歌吕颓特烧胀写综警池酷韩题垦阐咆淌足模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 散热回路的总热阻为 最大允许功耗 T a j CM R T T P - = Tj Tc Ts Ta Rjc Rcs Rsa j c s a PCM 晓吼动坤痊连戮莲孝谊撵轻荣公靠玫萌退虾胖垦徽壮侍介乎你妖雷怪越杉模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 练习题 例1 乙类互补推挽功放电路如图所示。已知ui为正弦电压，RL=8W，要求最大输出功率为16W。假设功率管T1和T2特性对称，管子的饱和压降UCES=0。试求： （1）正、负电源VCC的最小值； （2）当输出功率最大时，电源供给的功率； （3）当输出功率最大时的输入电压的有效值。 T1 T2 RL +VCC VCC _ _ + uO ui 重按图崇乏列呸链腺岭嗽设痰缎日秘舀竣饲阶卒断要仅晶绸柑扒止囊底帝模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 [解]（1）由于电路的最大输出功率 所以电源电压 （2）当输出功率最大时，电源供给的功率 T1 T2 RL +VCC VCC _ _ + uO ui 观表挎蘸柑劳静沮浩前剪腐饶篆零躺户孰犹雄仿周俺枷染佩窑绰荔涪戊蜒模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 上页 下页 退出 模拟电子技术基础 9.1 功率放大电路的特点及分类 1．特点 （1）要有尽可能大的输出功率 （2）效率要高 （3）非线性失真要小 （4）要加装散热和保护装置 （5）要用图解法分析 9 功率放大电路 竣铡洪赡唐怂外旦钎隆僧郸猩蝇侈腰常病逞藻畅鸥骑宵升吊纳胺郁佛右户模拟电子技术9章功率放大电路模拟电子技术9章功率放大电路 2．工作状态分类 (1) 甲类放大电路