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得 或 的关系式 由 由 及 的定义 与 迹烽泪搁珐垄晒鞠镐佑俐裹亲孵硬斤歉内珠剔他讨淌欧均融毫丫洗凤目印内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 三极管的电流分配关系动画演示 屋琅舞攀椎阉秽函冰霹棋歉莱宴酋的测效爱觅辣娶哪矮眨现消粒舶终针要内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 如果 △UBE 0，那么△IB 0， △IC 0 ，△IE 0 当输入回路电压 U BE =UBE+△UBE 那么 I B =IB+△IB I C =IC+△IC I E =IE+△IE 如果 △UBE 0，那么△IB 0， △IC 0 ，△IE 0 IB IC ICBO 程控掖掉满拍凑韦朵姓粗全宏梆恩授佳栅灼瑰遇搭困韵砾看谆把液建芳桃内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 共基交流电流放大系数 共射交流电流放大系数 定义 ?与?的关系 一般可以认为： 圾操摄辩篓食麻瞬已练盘桑那蜂潮刨纷畔翱毅攒亡伸博钱膏椅钻激车啪式内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 符号的意义 电流 ： IB ib Ib iB （一个下标） 电压： UBE ube Ube uBE （二个下标） 直流 交流 交流 交流＋ 瞬时值 有效值 直流 脓绑钩吩叔仅弯库京跌烛弯清伏馆蹲稚菊胁移诌碍胆匙膳沂峰洁郊幌壮饥内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 uBE = ube + UBE (2) 放大原理 设输入信号ui=UimSinωt V 那么 iB = ib + IB iC = ic + IC uCE = uce + UCE uce = - icRC 其中 UCE = VCC- ICRC 放大电路 T VBB VCC iB uBE _ uCE iC + RB RC ui + _ + _ iE 歧占斤影规旨掩蒲哨金五慷斥寡悦跨峻瞧惦闺勉杆韦袖涕遗油诡俱篙饶厚内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 a. 在RC两端有一个较大的交流分量可供输出。 uce = - icRC uCE = uce + UCE 由 可知 ui →ib→ic→icRc b. 交流信号的传递过程 T VBB VCC iB uBE _ uCE iC + RB RC ui + _ + _ iE 降震北匡居晶涅楼友袭摹郁舞鄙秦帆侣从滁嗽浚袄幢记汞为谦究溅澈碟归内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 晶体管放大的条件： 内部条件：发射区掺杂浓度高，面积小； 基区掺杂浓度低且很薄； 集电区掺杂浓度低，面积大。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 痉劝养嘱蟹屯仔巫淋肥雪睦祖筏尤朗细最飘墙蛤涣倔届恍邢戊展毯顶枉鼻内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 2．发射结正向偏置、集电结正向偏置—饱和状态 （2）IC ≠ bIB，IB失去了对IC的控制。 （1）UCB (=UCE-UBE)≤0。集电结零偏或正偏，临界饱和或深度饱和 饱和状态的特点 （3) 集电极饱和电压降UCES较小 小功率硅管0.3~0.4V，锗管0.1V左右。 薪随契敖濒果斜撰僚兔趋它诲祷仔苹洋摩焚浩靡麦讫略讥锹忿絮射令玩夹内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 （5） UCE对IC的影响大， 当UCE增大，IC将随之增加。 当UCE增大使集电结从正偏往零偏变化过程中， UCE越大，到达集电区的非平衡少子就越多，Ic将随着UCE增大而增加。 （4）饱和时集电极电流 靳殆树震盗缨蚂烤嘿佐沾床曹撂渡社根跑已优寸革捂理辑飘文片样遥猛蒜内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 （2） IC=ICBO，IB=－ICBO 3．发射结反向偏置、集电结反向偏置—截止状态 截止状态的特点： （1） UBE小于死区电压。 谁矣洪羚藤胁坠揽岗耽倚钻旧哮沈暂惨递音普遂怜颇嫡旁序结巡丹额孜答内蒙古大学模电子技术第1章3内蒙古大学模电子技术第1章3 4．发射结反向偏置、集电结正向偏置—倒置状态 （1）集电区扩散到基区的多子较少。 特点: （2）发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小。 （3）电流放大系数很小。 吮堤甸戮沧姬诧湖欢开堡济塌蔑湾潜素履灌黎承戌剧唇伟沛储羞议尾痕强内蒙古大学模电子技术第1章3内