微电子专业05级双专科《微电子工艺》期末考试 A卷答案[精选].doc

2006～2007学年 第二学期 微电子 专业 05级双专科 《微电子器件工艺》 期末考试 A 卷 答案 班级 学号 姓名 成绩 填空（每空1分） 1、直拉法制备单晶硅的过程是：清洁处理——装炉——加热融化——拉晶，其中拉晶是最主要的工序，拉晶包括 下种 、 细颈 、放肩、 等径生长 和收尾拉光等过程。 2、在二氧化硅网络结构中，桥联氧越多，网络结构越 （紧密或疏松）；非桥联氧越多，结构越 （同上）。 3、掺杂技术包括有 热扩散 、 离子注入 、合金和中子嬗变等多种方法。 4、在有限表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 高斯分布 ； 而在恒定表面源扩散中，其扩散后的杂质浓度分布函数符合 余误差函数分布 。 5、在离子注入法的掺杂过程中，注入离子在靶中所受到的阻挡机构有 电子阻挡 和 核阻挡 两种。 6、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤， 常用的退火方式有 电子束退火 、 离子束退火 、 激光退火 。 7、工艺中常用磨角法测结深，常用的染色溶液是 硫酸铜（CuSO4 ） 溶液。 8、影响外延速度的因素有 质量转移速度 和 表面化学反应速度 ，其中以较 慢 （快或慢）者起决定的影响作用。 9、外延工艺中，对氢气的纯度要求非常高，氢气的纯化可用 分子筛吸附法 和 钯合金扩散法 。 10、工艺中常用的测量二氧化硅厚度的方法有比色法 和 双光干涉法 。 11、液态源硼扩散中常用的硼源是 三溴化硼（BBr3 ，常用的液态磷源是 三氯氧磷（POCl3） 。 12、乳胶版的显像原理包括照相潜影的形成、 显影 和 定影 等几个过程。 13、光学曝光分为 接触式把曝光 、 接近式曝光 和投影式等几种。 14、一般来说，湿法腐蚀是 同向腐蚀（同向腐蚀或异向腐蚀），而干法腐蚀更容易实现 异向腐蚀 （同上）。 选择（每题2分，单项多项均有） 在二氧化硅氧化中，采用掺氯氧化的目的是（A、B、C、D ） （A）减少钠离子玷污 （B）控制氧化层错 （C）消除网络中重金属杂质 （D）提高少子寿命 在微电子加工环境中，进入洁净区的工作人员必须注意以下事项（ A、B、C、D ） 进入洁净区要先穿戴好专用净化工作服、鞋、帽。 进入洁净区前先在风淋室风淋30秒，然后才能进入。 每周洗工作服，洗澡、理发、剪指甲，不用化妆品。 与工作无关的纸张、书报等杂物不得带入。 3、衬底气相抛光方式有（A、C、D ） （A）HCl气相抛光 （B）氧化抛光 （C）Cl2抛光 （D）水气抛光 4、化学显影液中的主要成分有（ A、B、C、D ） （A）还原剂 （B）保护剂 （C）促进剂 （D）防灰雾剂 工艺中采用电子束蒸发的优点有（A、B、C、D ） （A）膜纯度高，钠离子玷污少 （B）光刻腐蚀方便 （C）镀膜层均匀 （D）节约大量钨丝和铝源 6、液态源硼扩散所选用的硼源有（A、B、C ） （A）硼酸三甲脂 （B）硼酸三丙脂 （C）三溴化硼 （D）三氯氧磷 三、判断（每题1分） 1、在钨丝蒸发工艺中，初次使用的钨丝应空蒸一次，以去除钨丝中的杂质。 （ R ） 2、固态源硼扩散常以氮化硼（BN）作为杂质源。 （ R ） 3、烷氧基硅烷分解法制备二氧化硅膜时，一旦源变黄色就不能使用。 （ R ） 4、正胶是指的是曝光前对某种溶剂来说是可溶的，曝光后变为不可溶的那一种抗蚀剂。 （ F ） 5、埋层扩散常用三氧化二锑和二氧化硅的混合物。 （ R ） 6、硅烷热分解法淀积中，一旦源变成黄色就不能使用。 （ R ） 7、二氧化硅中的宏观缺陷是指氧化层厚度不均匀、表面有斑点、氧化层上有针孔等。