微电子期中考试[精选].ppt

期中习题讲解 主讲人：刘树培 一、填空题 1、TTL晶体管是（电流）控制元件，同时它也是（双）极型元件，因为其由（电子）和（空穴）参与工作。 2、CMOS晶体管是（电压）控制元件，同时它也是（?单）极型元件，因为其只有（电子）参与工作。 3、CMOS非门的主要参数有（阈值电压）、（传输延迟）、（噪声容限）等。 4、NMOS管工作于非截止的边界条件是（VGSVTN），其工作于临界饱和的条件是（?????????）。 5、构成CMOS逻辑门电路一般是采用（增强）型的MOS管。 6、复杂逻辑门电路是由PDN和PUN构成，其中PUN是（p）型晶体管，PDN是（n?）型晶体管。 二、简答题 1、简述增强型NMOS管的工作原理。 答：当在栅极加有足够大的正电压（VG0)后，使栅极下方的p型硅表面强反型，源区与漏区之间会形成n型导电沟道。如果在此时在漏源之间加偏置电压VDS,电子就会从源极流向漏极形成导通电流ID。并且在栅极电压为零时未形成反型导电沟道，必须施加电压才形成n型沟道的器件称为增强型NMOS管。 二、简答题 2.简述CMOS非门的工作原理及其VTC电压传输特性曲线。 CMOS非门由一个增强型NMOS管和一个增强型PMOS管构成。当输入逻辑值为零（即Vin=0），NMOS管栅源电压为0，PMOS管栅源电压为-VDD，N管截止P管导通。通过PMOS在电压VDD与输出端连接的负载电容建立导电通道，可以将负载电容充电到VDD，输出为1.当输入逻辑值为1（即Vin=VDD），NMOS管栅源电压为VDD，PMOS管栅源电压为0，N管导通P管截止。通过NMOS在地电极与输出端连接的负载电容建立导电通道，可以将负载电容放电到0，输出为0. 二、简答题 (1)为输出高电平区，(2)、(3)、(4)为转变区，(5)为输出低电平区。其中(3)表现为垂线段。 二、简答题 3.试比较TTL和CMOS晶体管。 答：1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 　　 2.CMOS的逻辑电平范围比较大（3～15V），TTL只能在5V下工作CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差。 　　 3.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门） 4.TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 5.TTL晶体管是电流控制元件，同时它也是双极型元件，因为其由电子和空穴参与工作。CMOS晶体管是电压控制元件，同时它也是?单极型元件，因为其只有电子参与工作。 二、简答题 4.简述基于Hspice仿真平台的基本设计仿真过程。 答：1.点击open，导入编好的“.sp”文件。 2.点击simulate,开始仿真。 3.点击Edit LL查看是否有代码错误，有则修改代码。 4.点击Avanwaves查看波形图。 二、简答题 5.简述CMOS传输门电路构成及其工作原理。 答：把一个NMOS传输管和一个PMOS传输管并联起来构成CMOS传输门。CMOS传输门需要一对互补的控制信号 和 中，当Vc=VDD时,NMOS管和PMOS管都导通，CMOS传输门导通。当Vc=0时，NMOS管和PMOS管都截止，CMOS传输门关断，输入输出隔离。 三、分析应用题 1、分析图1的CMOS电路，F(A,B,C,D)=??试画图由其构成异或门电路？ 三、分析应用题 2、如何由图1CMOS电路构成二选一多路复用器？要求画图说明。 三、分析应用题 3、分析图2，分别写出函数S（A,B,Cin）=？C0（A,B,Cin）=？这个逻辑电路的功能是什么？ 三、分析应用题 4、试分析图3的逻辑功能。 三、分析应用题 三、分析应用题 5、试分析图4的逻辑功能。 * 在书P24 在书P58 在书P88 在书P75 在书P75 在书P86 在书P93 *