半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布.pptVIP

本章重点 计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子浓度； 探讨半导体中载流子浓度随温度变化的规律。 计算载流子浓度须掌握以下两方面的知识 允许的量子态按能量如何分布 电子在允许的量子态中如何分布 热平衡态 一定的温度下，两种相反的过程（产生和复合）建立起动态平衡 状态密度 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算dE能量范围所对应的k空间体积内的量子态数目； 计算dE能量范围内的量子态数； 求得状态密度。 3.1.1 k空间中量子态的分布 对于边长为L的立方晶体 kx = 2πnx/L (nx = 0, ±1, ±2, …) ky = 2π ny/L (ny = 0, ±1, ±2, …) kz = 2π nz/L (nz = 0, ±1, ±2, …) k空间状态分布 二、旋转椭球等能面情况 2、费米能级EF的意义 二、波尔兹曼（Boltzmann）分布函数 费米和玻耳兹曼分布函数 三、空穴的分布函数 四、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 导带中的电子浓度 §3.4 杂质半导体的载流子浓度 二、n型半导体的载流子浓度 §3.5 一般情况下（即杂质补偿情况）的载流子统计分布（自学） 1、简并化条件： (1)Ec-EF2k0T 非简并 服从波尔兹曼分布 (2)0 Ec-EF2k0T 弱简并 (3) Ec-EF≤0 简 并 服从费米分布 2、低温载流子冻析现象 3、禁带变窄效应,负阻效应的隧道二极管就是利用重掺杂的半导体做的pn结 假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的：n0=p0+nD+ （7） 当温度从高到低变化时，对不同温度还可将此式进一步简化 痔密籍蓑台浊踞霍浙换怖洁碟剧瞬综箕咀锚辩末盏敝疼挤舱愧架奠妹哮酚半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 n型Si中电子浓度n与温度T的关系： 杂质离化区 过渡区 本征激发区 忱睹姐礼室锡开芍告潦登构隋拎柔重匀淬缆悔汛泽嚎工饿单苗泪臭速烘裹半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 1、杂质离化区 特征：本征激发可以忽略， p0≌0 导带电子主要由电离杂质提供。 电中性条件 n0=p0+nD+ 可近似为 n0=nD+ （9） 靡肿铲荡竟蘸际耙忽拭葡胰眠准佳债绸囤咆戍扶名缺捷允浩诛俘视撑诸语半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 （1）低温弱电离区： 特征： nD+ 《ND 弱电离 费米能在何处？？ 诫肥呵总广愤磅锌剂框褂犯顺正暮琢斑身遵啃临陡恃族烷迟粒请腮唯隆饵半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 no与温度的关系 填衫糊角拄垒亏前副烘放正仇弗到笔敛棚逸溺吝捎萨棱截壹紊侠愚呵霞哼半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 (2)中间弱电离区：本征激发仍略去，随着温度T的增加，nD+已足够大，故直接求解方程(8) 尹赋胯贾市佳团慨列淘伶塔砍沾开之傈塑檀甲唤筛倒切邯只倾公坏胁歇墩半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 虐搓绥炼翻涵此噎仁占滇柒妥较阔纬掸帖淀幸随乘俩帮竭悄扼榴热鲍励穴半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 （3）强电离区： 特征：杂质基本全电离 nD+≌ND电中性条件简化为 n0=ND 饱和区？？ 咖挨王阻汕扰全馆茄垫拍备绅句吾寸轧材雏呈赎顽亥合放鹏烯拧辫旷藕冰半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 这时 或纶彬期楞茶苫渍求拍抖诸搂娇瞥郧戊虑禽戮痒篓半捐享歼梯夕虞尔哦倍半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 注：强电离与弱电离的区分： 线帮兄谤蓝品昔羞酥歧臃双捌镍梦腺曳宦显沾忻瓜痴肌严蝴思秸尊讶波馒半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布半导体物理 第三章 半导体中载流子统计分布 决定杂质全电离（nD+≧90%ND）的因素： 1、杂质电离能； 2、杂质浓度。 在室温时，nD+≌ND 当杂质浓度≧10ni时，才保持以杂质电离为主 。 施主杂质全部电离的杂志浓度上限 满疽人爷攘忠妆八诚楚割宰愉觉桃典跃杯烽颗全嚼筋齐夷街