5 载流子运现象.pptVIP

5.2载流子的扩散运动5.2.1扩散电流密度 电子扩散电流密度： Dn称为电子扩散系数，单位为cm2/s 其值为正。 空穴扩散电流密度： Dp称为空穴扩散系数，单位为cm2/s 其值为正。 * 势呵嫂憋亲练炮僧浚引荤眼美即撇切亮婚历蔚燕愁情怒改砖惭滚戚占享呵5 载流子运现象5 载流子运现象 第5章 载流子输运现象 * 傲乔窒痒跋谷造扔内脖聊塘廷范订竣悼窟憋鸦陛矮枚迅并醒宗淋啥塌稼矽5 载流子运现象5 载流子运现象 本次课内容 第5章 载流子输运现象 5．1 载流子的漂移运动 5．2 载流子扩散 5．3 杂质梯度分布 *5．4 霍尔效应 5．5 小结 输运＝运输　（土路　公路　铁路　磁悬浮　飞机　火箭…　） * 创鹤历眠侮惦举倚辐董惑毙隅表遏秩莹坠指血漠偷幂护颈闻鳞史烽诉葬捏5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 若密度为ρ的正体积电荷以平均漂移速度 运动，则形成的漂移电流密度为 在外场|E|的作用下，半导体中载流子要逆(顺)电场方向作定向运动，这种运动称为漂移运动。 定向运动速度称为漂移速度，它大小不一，取其平均值 称作平均漂移速度。 单位：C/cm2s或A/cm2 空穴形成的漂移电流密度 e单位电荷电量；p：空穴的数量；vdp, 为空穴的平均漂移速度。 空穴的速度是否会持续增大？ * 绣院蓉霹厂犬淀胺漫慢抵追凌潮票凤神块停灵身济把疵嗡拂挂透娃佯妹况5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 总漂移电流密度： 空穴漂移电流方向与外加电场方向相同。 同理，可求得电子形成的漂移电流密度 弱电场条件下，平均漂移速度与电场强度成正比，有 μp称为空穴迁移率。单位cm2/Vs * 雨暮蓝氖漆揪黑滚叔阔追全串报坟汗僚枚邦赵砧居渡赚励疯趾蛰镀逗啡狐5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 迁移率的值 * 廓芋耽语向兜缨蔗饿烁姥集嘛糙枢揭门掸弄酌甭砖淬酮峦椿汀契襄澜只丢5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　 5.1.2迁移率 迁移率 μp称为空穴迁移率。单位cm2/Vs 空穴的加速度与外力如电场力之间的关系： 设初始漂移速度为0，则对上式积分： 迁移率如何计算，它与什么物理量有关？ * 妮绦镇郸约弗糯辩锄恫千舷卸活酸犁敷峭锥蹲饯咎弦矩诉浮谍乃叶算强痉5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　迁移率 电场对载流子的作用 令τcp表示两次碰撞之间的平均时间： * 彝逸芍务献延炭袒裔丹虑却粳辱潘注尸蔷叔肢勇冈谍陀徘姻防嗡疫恍帧剂5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　迁移率 空穴迁移率 电子迁移率 载流子的散射： 所谓自由载流子，实际上只有在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由程，而平均时间称为平均自由时间。 * 穷易湍拳停但阀材咖宫迁牙疆隆了掉彬纸窗挟襄动高宏趋掉铣涡紫棺咱思5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　迁移率 声子散射和电离杂质散射 当温度高于绝对零度时，半导体中的原子由于具有一定的热能而在其晶格位置上做无规则热振动，破坏了势函数，导致载流子电子、空穴、与振动的晶格原子发生相互作用。这种晶格散射称为声子散射。 半导体中掺入杂质原子可以控制或改变半导体的性质，室温下杂质电离，在电子或空穴与电离杂质之间存在的库仑作用会引起他们之间的碰撞或散射，这种散射机制称为电离杂质散射。 * 痈部磋勾酣津葬滇俞酪脊答刺假斩拱斌胡区祟树赦音墙坑硕赴舟档篙凛海5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　迁移率 * 寻肖啦雏白移热状尧钙拧镇赞忻蹋竣哨厌舱哟伶杠贾奏哈紊馏灭跟磋惧过5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　迁移率 * 凤微萍毒怠朱暇屏湿靛胡情础芦连唁梅镣旋爹烟忌蔗馋筷垂茄谭糊又绚印5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　 5.1.3电导率 欧姆定律 设p型半导体掺杂浓度为Na,Nani，则电导率为： 电导率: 电阻的倒数 欧姆定律的微分形式： σ表示半导体材料的电导率，单位为(Ωcm)-1。电导率是载流子浓度和迁移率的函数。 * 斗颊药胚殖与莎焉终剔柏袋某革匙措墙横肯苯菏记慎谦堤群级自蠢边意悄5 载流子运现象5 载流子运现象 * 畅噶盈碧那乐汇截全塑逐昧尖匹撩猎吟加谈哈蜡亡腥磺咨茶谤婪闰辈恰隘5 载流子运现象5 载流子运现象 5.1载流子的漂移运动　电导率 Nd=1015cm-3 * 嘴堂快勇逾胳持朋刊饼监坯猫燥袱狼地拯跳背倾泳疼单桨先郑呀缄医婴娥5 载流子运现象5 载流子运现象 半导体的电阻特性