第一章 Mcrosoft PowerPoint 演示文稿.pptVIP

课程介绍 课程内容 半导体器件部分 Ch1 半导体器件基本方程 Ch2 pn结二极管（重点） Ch3 双极型晶体管(难点) Ch4 双极型晶体管设计(自学) Ch5 MOSFET（重点） Ch6 半导体太阳电池（重点） Ch7 特种半导体器件(难点) Ch8 半导体敏感器件 集成电路部分 Ch9 集成电路的基本常识 Ch10 CMOS逻辑设计入门 Ch11 MOSFET物理与特性（重点） Ch12 基本逻辑门分析（重点） Ch13 组合逻辑电路 (难点) Ch14 时序逻辑电路 (难点) 参考教材 1.半导体器件物理(第3版)(国外名校最新教材精选) 作者:(美)施敏 (S.M.SZE) (美)伍国 (KWOK K.NG) ?? 出版社：西安交通大学出版社 2.半导体器件基础（国外大学优秀教材——微电子类系列（翻译版）） 作者：（美）安德森（Anderson，B.L.）著， 邓宁，田立林，任 敏 译 出版社：清华大学出版社 3.半导体物理与器件（第三版） 作者：Donald A.Neamen 赵义强 等 译 出版社：电子工业出版社 4.超大规模集成电路与系统导论 作者：(美）John P.Uyemura （周润德 翻译） 出版社：电子工业出版社 课程评价 作 业：40％ 课堂出勤率：缺一次课扣5分，平时成绩扣完为止 期末 闭卷：60％ 第一章 半导体器件基本方程 1.1　半导体器件基本方程的形式 1.1.1　泊松方程 半导体内的一维泊松方程 其中 为电场电势， 为电场大小， 为电荷密度， 为介电常数。 泊松方程描述的是电荷与电场的关系；空间任意点的电位移（电场强度）矢量的散度正比于该点的电荷密度。 物理意义： 电场线总是出发于正电荷而终止于等量的负电荷 1.1　半导体器件基本方程的形式 1.1.2　输运方程 1、漂移电流 载流子是带有电荷的，在电场作用下的运动将会产生宏观电流 a.电子的漂移电流密度Jn 其中n为电子的浓度， 为电子的迁移率，E为电场强度 1.1　半导体器件基本方程的形式 b.空穴的漂移电流密度 其中p为空穴的浓度， 为空穴的迁移率，E为电场强度 1.1　半导体器件基本方程的形式 C.漂移电流密度为 其中， 为电导率。 则， 1.1　半导体器件基本方程的形式 2.扩散电流密度 a.扩散现象 发生条件： b.第一扩散定律（费克定律） 由费克定律得到 空穴扩散流 电子扩散流 其中 分别为电子和空穴的扩散系数 1.1　半导体器件基本方程的形式 c.扩散电流密度 空穴： 电子： 1.1　半导体器件基本方程的形式 3.半导体中总电流密度 其中 1.1　半导体器件基本方程的形式 讨论： （1）对于掺杂半导体，多子浓度远大于少子浓度，而两者迁移率 相差有限，漂移电流只需要考虑多子漂移电流。 （2）对于多子电流作为器件原理分析对象时，如MOS/JFET，一般不存在浓度梯度，因而，只需考虑多子的漂移电流。 （3）对于只需要分析少子电流就可以描述器件原理的器件，称为少子器件。如，pn结二极管，双极晶体管，只需分析少子扩散电流就可以。（少子器件中多子电流不能忽略） 1.1　半导体器件基本方程的形式 空穴： 电子： 1.1　半导体器件基本方程的形式 2.空穴与电子一维电流密度方程分别为 电子： 空穴： 1.1　半导体器件基本方程的形式 将电流密度方程代入连续性方程中 1.1　半导体器件基本方程的形式 其中 变形后得 1.1　半导体器件基本方程的形式 1.2　基本方程的简化与应用举例 例子：半无限长样品，在x＝0处，⊿p＝⊿ ， 无外加电场，计算稳态 解答：稳态时 电场强度为零，体内的产生与复合 （产生为零，只有复合） 代入连续性方程得： 1.2　基本方程的简化与应用举例 1.2　基本方程的简化与应用举例 谢 谢！ * * 袭孽乾涵哮撵锗猎礼窥卢乞尝捆冗切蕾肯操辑攘灿丝噶好项沏霓寝凶坛默第一章 Mcrosoft PowerPoint 演示文稿第一章 Mcrosoft PowerP