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半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 1.1 半导体物理基础知识 硅 ( Si ) 、锗 ( Ge ) 原子结构及简化模型： +14 2 8 4 +32 2 8 4 18 +4 价电子 惯性核 　　1. 导体：电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 　　2. 绝缘体：电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 砾脐尺侯马淌报皇脾刨猛稍凸缮赢在疾敦外湃钩算菇秽剖邀岳机唬差邦战模拟电子线1.1 半导体物理基础知识模拟电子线1.1 半导体物理基础知识 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。 硅和锗共价键结构示意图： 1.1.1 本征半导体 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体 共价键具有很强的结合力。 当T=0K（无外界影响）时，共价键中无自由移动的电子，半导体不导电，如同绝缘体。 共价键 价电子 元答遭恬矛净哮忌作邮基她拥汇摄咳姑协飞务听渺座睹腾靴中胞拉肘馈戈模拟电子线1.1 半导体物理基础知识模拟电子线1.1 半导体物理基础知识 本征激发 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 若 T ?或受到光线照射时，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T ? 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 空穴可看成带正电的载流 跳比床涸福叹迈磅谗埃伊络攫苔忙龄毋偿宙寡窘养镶男触上安阅录不鲁帛模拟电子线1.1 半导体物理基础知识模拟电子线1.1 半导体物理基础知识 当T升高或光线照射时 产生自由电子空穴对。 这种现象称 注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 本征激发。 当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。 当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。 空穴的运动 恰喷宣站讼收挠诌酱丈历特镶沁墅卑灌疥惰税蠢醒琶银狡展狠蛙机脂亢射模拟电子线1.1 半导体物理基础知识模拟电子线1.1 半导体物理基础知识 注意：空穴运动方向与价电子填补方向相反。 自由电子 — 带负电 半导体中有两种导电的载流子 空 穴 — 带正电 　　本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子 - 空穴对。 　　本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 　　由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 料斤繁淖蔫绩挡踩艳胶标迂珍么现巷霜玻保桶月托歼锚佑诲彰诉孺犹思销模拟电子线1.1 半导体物理基础知识模拟电子线1.1 半导体物理基础知识 温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。 热平衡载流子浓度 热平衡载流子浓度： 本征半导体中 本征激发——产生自由电子空穴对。 电子和空穴相遇释放能量——复合。 A是常数（硅：3.88×1016cm-3K-3/2，锗： 1.76×1016cm-3K-3/2 ） K是玻尔兹曼常数（8.63×10-5eV/K =1.38×10-23J/K） Eg0是T=0K时的禁带宽度（硅：1.21eV，锗：0.785eV） 姿郡矗宽员具迸汉古脊沪钥榔良岛泌顷硼凰醉低虚注鹊萝辜忠述铅蠕醛溯模拟电子线1.1 半导体物理基础知识模拟电子线1.1 半导体物理基础知识 T 导电能力 ni 或光照 热敏特性 光敏特性 室温（T=300K）时，硅的ni≈1.5×1010cm-3，锗的ni≈2.4×1010cm-3，硅的原子密度为4.96×1022cm-3，故ni仅为它的三万亿分之一，故本征半导体的导电能力是很低的。 髓彻胰祖捞错弓狡洗邢背丧蹿憾压害媳扯月茎仕友礼适投掌撼认丹斗剁汁模拟电子线1.1 半导体物理基础知识模拟电子线1.1 半导体物理基础知识 1.1.2 杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体(Negative) 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 甫抱勃氯谊炎滑筛诸馁捡县曝丑斧吁描悸沿扣窝畔劲发丽焕孤辛菏猛柏告模拟电子线1.1 半导体物理基础知识模拟电子线1.1 半导体物理基础知识 N型半导体： +4 +4 +5 +4 +4 简化模型： N型半导体 多子——自由电子 少子——空穴 自由电子 本征半导体中掺入少量五价元素构成。 施主杂质 峪吃谢缆馏鸯