2.2三极管全解.pptVIP

晶体三极管样图 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c；对于F型大功率三极管，外形上只能看到两根电极，分别为e、b，底座为c。 基本元件--三极管 基本结构 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基本元件--三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 基本元件--三极管 放大原理：把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 发射结正偏 集电结反偏 基本元件--三极管 晶体管的放大原理和电流分配（实验角度分析） ：实验电路采用共发射极接法，发射极是基极电路和集电极电路的公共端。实验中用的是 NPN 型管，为了使晶体管具有放大作用，电源 EB 和 EC 的极性必须使发射结上加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压(反向偏置)。 mA IC EC IB C ?A V V mA IE RB + UBE ? + UCE ? EB E B 3DG100 设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB，则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 基极电路 集电极电路 基本元件--三极管 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 IE/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IC/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IB/mA 晶体管电流测量数据 结论：(1) 符合基尔霍夫定律 (2) IC 和 IE 比 IB 大得多。从第三列和第四列的数据可得 这就是晶体管的电流放大作用。 称为共发射极静态电流(直流)放大系数。电流放大作用还体现在基极电流的少量变化 ?IB 可以引起集电极电流较大的变化 ?IC 。 式中，? 称为动态电流(交流)放大系数 (3)当 IB = 0(将基极开路)时，IC = ICEO，表中 ICEO 0.001 mA = 1 ?A。 (4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，发射区才可向基区发射电子；而集电结必须反向偏置，集电区才可收集从发射区发射过来的电子。 下图给出了起放大作用时 NPN 型和 PNP 型晶体管中电流实际方向和发射结与集电结的实际极性。 + UBE ? IC IE IB C T E B ? ? ? ? + UCE ? NPN 型晶体管 + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? PNP 型晶体管 特性曲线 1. 输入特性曲线 对于 NPN 型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于 PNP 型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 输入特性曲线是指当集 —射极电压UCE为常数时，输入电路(基极电路)中，基极电流 IB 与基—射极电压 UBE 之间的关系曲线 I B = f (UBE)。 O 0.4 0.8 IB / ?A UBE / V UCE ≥ 1V 60 40 20 80 3DG100 晶体管的输入特性也有一段死区，只有在发射结外加电压大于死区电压时，才会