2017模拟电子技术基础.docx

绪论一. 符号约定 大写字母、大写下标表示直流量。如：VCE、IC等。 小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如： vCE、iB等。 小写字母、小写下标表示纯交流量。如： vce、ib等。 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如： 等。二． 信号 （1）模型的转换（2）分类（3）频谱二.放大电路（1）模型（2）增益如何确定电路的输出电阻ro ？三．频率响应以及带宽第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 　*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 　*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。1）图解分析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型微变等效电路法 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。* 输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。三. 低频小信号等效模型（简化）hie---输出端交流短路时的输入电阻， 常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用β表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。 2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。 3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2） 饱和失真*产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。 4. 放大器的动态范围（1） Uopp---是指放大器最大不失真输出