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超高真空多功能磁控溅射设备的使用 引言 薄膜的制备方法有许多种，主要包括：物理气相沉积 (PVD)、化学气相沉积(CVD)和电化学沉积。物理气相沉积中只发生物理过程，化学气相沉积中包含了化学反应过程。常用的物理气相沉积方法是真空蒸发，分子束外延(MBE）近几十年来,磁控溅射技术已经成为最重要的沉积镀膜方法之一。广泛应用于工业生产和科学研究领域。如在现代机械加工工业中,利用磁控溅射技术在工件表面镀制功能膜、超硬膜、自润滑薄膜。在光学领域,利用磁控溅射技术制备增透膜、低辐射膜和透明导膜,隔热膜等。在微电子领域和光、磁记录领域磁控溅射技术也发挥着重要作用。2 直流溅射法 直流溅射又称阴极溅射或二极溅射。在直流溅射过程中，常用氩气Ar作为工作气压。工作气压是一个重要的参数，它对溅射速率以及薄膜的质量都具有很大的影响。 当经过加速的入射离子轰击靶材（阴极）表面时，会引起电子发射，在阴极表面产生的这些电子，开始向阳极加速后进入负辉光区，并与中性的Ar原子碰撞，产生自持的辉光放电所需的Ar+离子。在相对较低的气压条件下，Ar原子的电离过程多发生在距离靶材很远的地方，因而Ar+离子运动至靶材处的几率较小。同时，低气压下电子的自由程较长，电子在阳极上消失的几率较大，而Ar+离子在阳极上溅射的同时发射出二次电子的几率又由于气压较低而相对较小。因此，在低工作气压下Ar原子的离化效率很低，溅射速率和效率很低。 随着氩气工作气压的增加，电子平均自由程减小，原子电离几率增加，溅射电流增加，溅射速率提高。但当气压过高时，溅射出来的靶材原子在飞向衬底的过程中将会受到过多的散射，因而其沉积到衬底上的几率反而下降。因此随着气压的变化，溅射沉积的速率会出现一个极值。一般来讲，沉积速度与溅射功率成正比，与靶材和衬底之间的间距成反比。 溅射气压较低时，入射到衬底表面的靶材原子没有经过多次碰撞，能量较高，这有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积组织的致密程度。溅射气压的提高使得入射的原子能量降低，不利于薄膜组织的致密化。 3 射频溅射法 采用直流溅射法需要在溅射靶上加一负电压，因而就只能溅射导体材料，而不能沉积绝缘材料，其原因在于轰击绝缘介质靶材时表面的离子电荷无法中和，于是靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离机会就会变小，甚至不能发生电离，致使放电停止或不能连续，溅射停止。因此，对于导电性很差的非金属材料或绝缘介质的溅射，需要一种新的溅射方法—射频溅射法(RF)法。 射频溅射装置相当于把直流溅射中的直流电源部分由射频发生器，匹配网络和电源所代替。它是利用高频电磁辐射来维持低气压(约2.5(10-2 Pa)的辉光放电。阴极安置在紧贴介质靶材的后面，把高频电压加在靶上，这样，在一个周期内正离子和电子就可以交替地轰击靶，从而实现溅射介质靶材的目的。当靶电极为高频电压的负半周时，正离子对靶材进行轰击引起溅射，同时靶材表面会有正电荷的积累；当靶材处于高频电压的正半周时，由于电子对靶的轰击中和了积累在介质靶表面上的正电荷，这样就为下一周期的溅射创造了条件。由于在一个周期内对靶材既有溅射又有中和，故能使溅射持续进行，这就是射频溅射法能够溅射介质靶材的原因。 从上所述可知，在一个周期内介质靶最多只在半周期中受到离子轰击。阴极是介质靶，就相当于在高频电路中加了一个阻塞电容器C，使靶面形成一个直流负电位，即负的自偏压，从而使靶材受到离子轰击的时间和电压都会增加。 实际应用的高频溅射系统中，常采用非对称平板结构，把高频电源一极接在小电极(靶)上，而将大电极和屏蔽罩等相连后接地作为另一电极，这样，在小电极处产生的暗区电压降比大电极暗区压降要大得多，致使流向大电极的离子能量小于溅射阀能，在大电极上就不会发生溅射。因此，只要用小电极作为靶，而将基片放置在大电极上，就可进行高频溅射镀膜。通常，在溅射中使用的高频电源频率已经属于射频范围，其频率区间为10—30MHz左右，目前国际上通常采用的射频频率多为美国联邦通讯委员会建议的13.56MHz。 4 磁控溅射法 从上面的讨论可知道，溅射沉积具有两个缺点：第一，沉积速率较低；第二，溅射所需的工作气压较高，这两者的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性提高。 磁控溅射技术是从70年代发展起来的一种新型溅射镀膜法，具有沉积速率较高，工作气压较低的优点。一般磁控溅射的靶材与磁场的布置形式如图2.1所示，这种磁场设置的特点是在靶材的部分表面上方使磁场方向与电场方向垂直，从而进一步将电子的轨迹限制到靶面附近。运动电子受到磁场作用(洛仑兹力)而使运动轨迹发生弯曲乃至形成螺旋运动，导致电子运动路径加长，因而增加了与工作气体分子的碰撞次数，提高了电子对工作气体的电离几率和有效的利用电子的能量，导致磁控溅射速率数量级地提高。同时，经