场效应管1解析.ppt

场效应管 2.3 场效应管(FET) 2.3.1、MOS场效应管 当UGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压UDS对漏极电流ID的影响。UDS的不同变化对沟道的影响如图所示。根据此图可以有如下关系 二 N沟道耗尽型MOSFET 当uGS＞0且增大时时，将使iD进一步增加。uGS＜0时，随着uGS的减小漏极电流逐渐减小，直至iD=0。对应iD=0的uGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。 P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。 2.3.2 结型场效应管 三、FET的主要参数 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 四、使用FET的注意事项 五 双极型和场效应型三极管的比较 直流、交信号同时存在 直流信号 交流信号分开处理 直流电路分析（静态分析） IDQ UGSQ UDSQ 估算法 交流电路分析（动态分析） Au Ri Ro 小信号模型 2.3.4 场效应管电路分析方法 电路如图所示，RG=1MΩ,RS=2kΩ,RD=12kΩ,VDD=12V,场效应管的IDSS=4mA,UGS(off)=-4V,计算静态工作点.画出小信号等效电路 例:求电路的静态工作点,画出交流通路和小信号等效电路 例2 电路如图所示，已知VCC=12V，管子的β=50， UBEQ=0.7V。欲使静态时UCEQ=6V，求Rb； 例:画出电路的直流通路,交流通路和小信号等效电路 * 南理工紫金学院 模拟电子线路 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。 优点:(1)体积小、重量轻、耗电少、寿命长； （2）输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单； 分类：（1）结型场效应管（JFET） （2）金属-氧化物-半导体场效应（MOSFET） Field Effect Transistor N沟道：增强型、耗尽型 P沟道：增强型、耗尽型 分类 Metal-Oxide-Semiconductor P 一 N沟道增强型MOSFET 1 结构 SiO2 N N S D Al G B 2 工作原理 a．栅源电压UGS的控制作用 P SiO2 N N S D Al G B 当uGS=0V时，IDS=0 当栅极加正电压时 当uGS达到一定值时 形成导电沟道，称 此时的电压为开启 电压，uGS(th)(或UT) 反型层 uGS0V 漏极电流受uGS的控制，故场效应管具有用输入电压uGS控制输出电流iD的作用，称之为电压控制型器件。 在uGS=0V时ID=0，只有当uGS＞UGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管 b．漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 UDS=UDG＋UGS =－UGD＋UGS UGD=UGS－UDS P SiO2 N N S D Al G B P SiO2 N N S D Al G B 当uDS增较小时，对导电沟道影响很小，沟道电阻近似为常数，iD随uDS的增加而线性增加。 UGD=UGS－UDS P SiO2 N N S D Al G B 当uDS增加到使UGD=UGS(th)时，沟道如图(b)所示。这相当于uDS增加使 漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况 称为预夹断。 UGD=UGS－UDS P SiO2 N N S D Al G B 当UDS增加到UGDUGS(th)时，沟道 如图所示。此时预夹断区域加长， 伸向S极。 UDS增加的部分基本降落 在随之加长的夹断沟道上，ID基本 趋于不变。 3 特性曲线 转移特性曲线 iD=f(uGS)?UDS=const 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm称为跨导。 输出特性曲线 当UGS＞UGS(th)，iD=f(uDS)?uGS=const 可变电阻区 饱和区或恒流区 击穿区 夹断区（或截止区） SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，在漏源之间形成了沟道。于是只要有漏源电压，就有漏极电流存在. P + + + + + + SiO2 N N S D Al G