真空蒸镀技术介绍[精选].ppt

薄膜材料制备技术Thin Film Materials 北京科技大学材料科学学院 唐伟忠 Tel: 6233 4144 E-mail: wztang@ 课件下载网址： wztang_teaching@ 下 载 密 码： 123456 第二讲 薄膜材料制备的真空蒸发法 Preparation of thin films by vacuum evaporation 提 要 元素的热蒸发 化合物与合金的热蒸发 蒸发沉积薄膜的均匀性 制备薄膜材料的各种蒸发方法 物理气相沉积 物理气相沉积（physical vapor deposition, PVD）是利用某种物理过程 ?? 物质的热蒸发或在粒子轰击下物质表面原子的溅射，不涉及化学反应过程的，实现原子从源物质到薄膜的可控转移的薄膜（及其他材料）制备方法。 化学气相沉积 化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）是经由气态的先驱物，通过气相原子、分子间的化学反应，生成薄膜（及其他材料）的技术手段。 物理气相沉积方法的特点 使用固态或熔融态的物质作为沉积过程的源物质 源物质经过物理过程进入气相 在气相中及在衬底表面并不发生化学反应 使用相对较低的气体压力环境 低压PVD环境下： 其他气体分子的散射作用较小，气相分子的运动路径为一直线； 气相分子在衬底上的沉积几率接近100% 真空蒸发法的特点 元素的平衡蒸气压随温度的变化 元素的平衡蒸气压随温度的变化 元素的平衡蒸气压随温度的变化 元素的蒸发速率(物质通量) ? 为一个介于 0?1 之间的系数；pe 和ph 是元素的平衡蒸气压和实际分压。当 ?=1，且ph=0 时，蒸发速率? 取得最大值 由此，可以计算物质的蒸发、沉积速率 元素的质量蒸发速率 由于元素的平衡蒸气压随温度的增加很快，因而对元素蒸发速率影响最大的因素是蒸发源所处的温度 元素的蒸发 根据物质的特性,物质的蒸发有两种类型: 在低于熔点时，元素的蒸气压已较高(如Cr、Ti、Mo、Fe、Si等)。此时，直接利用由固态物质的升华现象，即可实现元素的热蒸发 即使是到了元素的熔点以上，其平衡蒸气压也低于10-1Pa。此时，需要将物质加热到其熔点以上。大多数金属的热蒸发属于这种情况 石墨没有熔点，而其升华温度又很高，因而多利用石墨电极的放电过程来使碳元素发生热蒸发 元素蒸发时的形态 一般认为，纯元素多是以单个原子、但有时也可能是以原子团的形式蒸发进入气相的。比如： Cu, As2 化合物的热蒸发??GaAs的情况 化合物也多是以单个原子、但也有可能以分子的状态蒸发进入气相。这取决于原子间结合力的强弱 化合物的热蒸发 在化合物的蒸发过程中，蒸发出来的物质蒸气可能具有完全不同于其固态源物质的化学成分，如SiO2 ? SiOx, x=0?2。 另外，气相分子还可能发生一系列的化合与分解过程。 这些现象的直接后果是沉积后的薄膜成分可能偏离化合物原来化合物的化学组成! 化合物热蒸发的微观过程 ????????????????????????????????? 过程类型 化学反应 实例 注释 ????????????????????????????????? 无分解蒸发 MX(s或l)?MX(g) SiO2, B2O3, 薄膜成分与原 AlN, CaF2 始成分相同 固态或液态分解蒸发 MX(s)?M(s)+(1/2)X2(g) Ag2S, Ag2Se 沉积物化学成 MX(s)?M(l)+(1/n)Xn(g) III-V化合物 分发生偏离 需使用独立的 蒸发源 气态分解蒸发 硫属化合物 MX(s)?M(g)+(1/2)X2(g) CdS, CdSe 同上 氧化物