第6章门电路幻灯片.pptVIP

二极管伏安特性的几种近似方法 a）折线二极管模型 b）恒压源模型（开关等效电路） c）理想二极管模型 三极管的开关特性——P61 1）NPN 、PNP型三极管 2）三极管的输入特性和输出特性 （1）输入特性 （2）输出特性 3) 三极管的基本开关电路——P62 2．TTL与非门7400 2输入TTL与非门7400电路结构如图3-46所示，电路结构与TTL非门基本相同，只是输入管Q1改成了多发射极三极管。 *****3．集电极开路门 集电极开路门（OC门）电路，就像漏极开路门一样，是常用的一类门电路，图3-47就是标准的TTL集电极开路门电路及其符号。 集电极开路门可以实现线与逻辑，其电阻的计算原则是： 4．或非门 典型的两输入端或非门电路如图3-48所示。 ******5．三态门 TTL三态非门及其符号如图3-49所示， 6.9 74LS系列门电路 6.9.1 74LS系列门电路基本工作原理 1．肖特基三极管 当一个工作在饱和状态的三极管输入发生变化使其进入截止状态时，需要延迟一段时间才能进入截止状态，原因是在饱和状态下三极管PN结中存储的载流子消散需要时间，这个延迟时间称为存储时间。 肖特基三极管是在三极管的基极和集电极之间并联一个肖特基二极管，如图3-50（a）所示。 肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成势垒的二极管 当正向偏置时，肖特基二极管的压降为0.25?V左右。 图3-51（a）所示的是一般的三极管在饱和时的各个极间的电位差，它的基极与集电极之间的电位差为0.4?V； 而图3-51（b）所示的肖特基二极管钳位的三极管基极与集电极之间的电位差是0.25?V。 动态功耗的另一个原因是由负载电容引起的。 全部动态功耗等于 pF 22 5?V 功耗电容 CPD pF 10 5 5?V 输入电容 CIN 单位 最大 典型 最小 实验条件（环境温度为25℃） 参 数 符号 6.4 其他类型的CMOS电路 1．传输门 传输门由控制端EN_L和EN控制，EN_L和EN是互补信号。当EN_L=L、EN=H时，传输门导通，A、B两端之间呈现很小的电阻（几欧到几十欧之间），相当于导通；当EN_L=H、EN=L时，传输门不导通，A、B两端之间呈现很大的电阻。 图3-21是基于CMOS传输门组成的四双向模拟开关74AHC4066。 在数据采集系统中，常用模拟开关切换模拟信号，实现多通道数据采集。在CMOS技术中，常使用传输门组成更复杂的数字电路，例如图3-22所示的2选1电路，就使用传输门组成。可以看出，当控制端S为低电平时，X与Z相连；当控制端S为高电平时，Y与Z相连。 图3-22 用传输门组成的2选1选择器 ****2．三态门——P51 普通的逻辑门只输出“0”或“1”两种状态。而三态门输出有称为高阻状态（High impedance，Hi-Z或floating）的第三种非逻辑状态。在这种状态下，若是忽略流入或流出门电路的极小泄漏电流，门电路的输出就像与其他电路没有连接。这样的输出具有三种输出状态，逻辑“0”、逻辑“1”和高阻状态“Z”。 H 断 通 L L L H H L 通 断 H H L L H 高阻 断 断 L H H H L 高阻 断 断 L H H L L OUT Q2 Q1 D C B A EN 表3-10 三态CMOS缓冲器的动作表 图3-24是三态输出的8总线缓冲/驱动器74HC244。 该芯片内部电路分为两组，每组有4个三态门，并有单独的低电平有效使能信号。 ****3．开漏输出门 （1）开漏门工作原理 L 通 通 H H 开路 断 通 L H 开路 通 断 H L 开路 断 断 L L OUT Q2 Q1 B A 开漏输出需要外接上拉电阻将开漏输出无源上拉到高电平才能正常工作。图3-26就是具有无源上拉电阻推动负载的开漏与非门电路。 （2）开漏输出驱动发光二极管 开漏输出驱动发光二极管的电路如图3-27所示。 发光二极管的工作电流取10?mA就有相当的亮度 发光二极管串联的限流电阻的计算：若取发光二极管的工作电流ILED为10?mA，发光二极管的正向压降VLED为1.8?V，电源电压为12?V。根据图3-27所示的电路有 VOL+4VLED+(ILED×R)?=VCC （3）线与逻辑 将几个具有开漏输出与门的输出端连接在一起，就形成线与逻辑，如果所有与门的输出都开路，则输出为高电平；如果有一个输出低电平，则输出低电平。 注意：两个具有有源上拉门的输出端是不能直接连在一起实现线与的，如图3-29所示。电流大损坏 图3-28 三个开漏门组成的线与逻