第四章存储器系统摘要.pptVIP

* 2、字扩展 字扩展是对存储器容量的扩展（或存储空间的扩展）。此时存储芯片上每个存储单元的字长满足要求（字长为8位），只是存储单元的个数不够，需要增加的是存储单元的数量。 字扩展的方法：将每个芯片的地址线、数据线和读/写控制线并联在一起，而将它们的片选端分别引出至地址译码器的不同输出端，即用片选信号区别芯片地址 例如前面SRAM应用举例（字扩展），DRAM应用举例（字位扩展）。 * 图4.3.4 2764管脚图 Vcc(+5V) #PGM NC A8 A9 A11 #OE A10 #CE D7 D6 D5 D4 D3 Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 地 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 23 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 2764 4.3 只读存储器（ROM） 一、EPROM-2764（紫外线擦除，整片擦写） #PGM：编程输入脉冲。对EPROM编程时，在该端加上编程脉冲，读操作时#PGM为1 Vpp：编程电压输入。编程时对应在该端加上编程高电压，不同芯片对Vpp要求不同，可以是+12.5V，+15V，+21V，+25V等 * D0~D7 A0~A12 #MEMR A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 D0~D7 A0~A12 #OE Vcc Vpp #PGM GND #CE 8088系统BUS 2764 G1 #G2A #G2B C B A #Y0 2764与8088系统的连接（70000H~71FFFH） +5V C * 可通过加电的方法在线擦写，允许字节擦写 二、EEPROM-98C64 Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 RDY/BUSY A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15 NMC98C64A管脚图 RDY/#BUSY: 状态输出端。98C64A正在执行编程写入时，此管脚为低电平；写完后，此管脚变为高电平。CPU通过检查此引脚的状态来判断写操作是否结束 * 例如：将一片98C64A接到系统总线上，地址范围为3E000H ~ 3FFFFH，并编程将芯片的所有单元写入66H D0~D7 A0~A12 #MEMW #MEMR A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 D0~D7 A0~A12 #WE #OE #CE RDY/#BUSY 1 8088系统BUS 98C64A 1 10k? +5V D0 接口地址02E0H * 写入方法 （1）使用延时程序TDELAY120US START: MOV AX, 3E00H MOV DS, AX MOV SI, 0 MOV CX, 2000H AGN: MOV AL, 66H MOV [SI],AL CALL TDELAY120US INC SI LOOP AGN HLT * （2）通过查询RDY/#BUSY的状态 START: MOV AX, 3E00H MOV DS, AX MOV SI, 0 MOV CX, 2000H MOV BL, 66H AGN: MOV DX, 02E0H WAIT: IN AL, DX TEST AL, 01H JZ WAIT MOV [SI],AL INC SI LOOP AGN HLT （3）使用中断方式 * 闪存是EEPROM的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM快（类似于RAM），掉电后不丢失。 由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。 另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。 /wiki/%E9%97%AA%E5%AD%98 三、闪存FLASH * 4.4 高速缓冲存储器（Cache） CPU Cache 主存 图4.4.1 Cache在微机系统中的位置 * 4.4 高速缓冲存储器（Cache） 一、Cache的工作原理（图4.4.1） 程序和数据访问的