2.4：典型全控型器件学案.ppt

§2.4 典型全控型器件 §2.4.1 门极可关断晶闸管 §2.4.2 电力晶体管 §2.4.3 电力场效应晶体管 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管 §2.4 典型全控型器件 §2.4.1 门极可关断晶闸管 GTO 一．图形符号和工作原理 §2.4.1 门极可关断晶闸管 GTO－－图形符号和工作原理 §2.4.1 门极可关断晶闸管 GTO－－图形符号和工作原理 §2.4.1 门极可关断晶闸管 GTO 二．动态特性 §2.4.1 门极可关断晶闸管 GTO 三．GTO的主要参数 §2.4.1 门极可关断晶闸管 GTO 三、 GTO的主要参数 §2.4.2 电力晶体管 GTR §2.4.2 电力晶体管 GTR 一．GTR的结构和工作原理 §2.4.2 电力晶体管 GTR 二．GTR的静态特性：分输入特性和输出特性两部分 §2.4.2 电力晶体管 GTR：静态特性 §2.4.2 电力晶体管 GTR：动态特性 三．动态特性 §2.4.2 电力晶体管 GTR：动态特性 §2.4.2 电力晶体管 GTR：主要参数 四．GTR的主要参数 §2.4.2 电力晶体管 GTR：主要参数 四．GTR的主要参数 §2.4.2 电力晶体管 GTR：主要参数 §2.4.3 电力场效应晶体管 §2.4.3 电力场效应晶体管 一．电力MOSFET的结构和工作原理 2．电力MOSFET的工作原理 §2.4.3 电力场效应晶体管 二．电力MOSFET的基本特性 §2.4.3 电力场效应晶体管 二．电力MOSFET的基本特性 §2.4.3 电力场效应晶体管：基本特性 3．动态特性 §2.4.3 电力场效应晶体管：基本特性 3．动态特性 §2.4.3 电力场效应晶体管：主要参数 §2.4.3 电力场效应晶体管：主要参数 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管 一． IGBT的结构和工作原理 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管：结构 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管：原理 3．IGBT 的原理 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管：基本特性 1． IGBT 的静态特性 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管：基本特性 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管：基本特性 2．IGBT的动态特性 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管的主要参数 三． IGBT 的主要参数 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管的主要参数 §2.4.4 绝缘栅双极晶体管：主要参数 2．IGBT的结构 ★ N 沟道的VDMOSFET 与GTR 的组合，构成 N 沟道 IGBT（N-IGBT） ★ IGBT 比VDMOSFET 多一层 P+ 注入区，形成了一个大面积的P+N 结， 从而使 IGBT 导通时由 P+ 注入区向 N 基区发射少子， 从而对漂移区 电导率进行调制，使得 IGBT 具有很强的通流能力； E G C N + N － P N + N + P N + N + P + 发射极 栅极 集电极 注入区 缓冲区 漂移区 J 3 J 2 J 1 ★ 驱动原理与 MOSFET基本相同，属场控器件，由 栅射电压UGE 控制； ★ 导通：当UGE 大于 开启电压 UGE ( th ) 时，MOSFET 内形成沟道，为 晶体管提供基极电流，IGBT 导通； 导通压降：电导调制效应使电阻 RN 减小，使通态压降小； ★ 关断：栅 射极之间 施加反压 或不加信 号 时，MOSFET 内的沟道消失，晶体 管的 基极电流被切断，IGBT关断； G E C + - + - + - I D R N I C V J1 I D R on RN 调制电阻 ★ 简化等效电路表明： IGBT 是 GTR 与 MOSFET 组成的达 林顿结构，一个由 MOSFET 驱动的厚基区 PNP 晶体管； ★ RN 为晶体管基区内调制电阻。 二． IGBT的基本特性 O 有源区 正向阻断区 饱 和 区 反向阻断区 a) b) I C U GE(th) U GE O I C U RM U FM U CE U GE(th) U GE 增加 转移特性 输出特性 1．IGBT 的静态特性 （1） 转移特性 IC 与UGE 间的关系，与 MOSFET 转移特性类似； （2）开启电压UGE(th) IGBT 实现电导调制而导通的最低栅射电压 UGE(th) ，随温度 升高而略有下降，在＋25?C时， UGE(th) 的值一般为 2 ～ 6 V； （3