晶硅太阳电池选择性发射极学案.pptVIP

三、光斑优化设计 电池失效分析 电池片的转换效率分布 Sample Eff(%) Uoc(V) Isc(A) FF Rs(mΩ) Rsh(Ω) ID(A) Average 16.81 0.620 8.463 77.96 3.08 134.58 0.162 Invalid 1 15.43 0.606 8.187 75.73 2.77 107.34 0.418 Invalid 2 15.95 0.610 8.325 76.47 3.21 131.82 0.350 Invalid 3 15.97 0.614 8.292 76.38 3.14 111.21 0.277 Invalid 4 15.89 0.610 8.271 76.59 2.97 101.21 0.383 三、光斑优化设计 电池失效分析 失效电池片的电性能参数 三、光斑优化设计 电池失效分析 PN击穿 使用条形均匀激光束（平顶光束）进行激光扫描掺杂。与现有技术相比，本发明更加充分的利用激光能量，既能避免蓝光响应降低，又可以避免PN结局部击穿，在提高激光掺杂效率的同时也提高了掺杂深度的均匀性，减少了因为局部掺杂导致的电池形变不均匀。 三、光斑优化设计 四、激光掺杂热源模型 高斯光束温度场模拟曲线 二维模拟曲线 三维模拟曲线 高斯热源公式 温度分布 方阻值分布 转换效率 电压、电流、填充因子 光束能量密度分布 温度场模型？ 四、激光掺杂热源模型 敬请批评指正 晶硅太阳能电池激光掺杂技术研究 报告人：王 雪 导 师：秦应雄 提纲 一、课题背景和研究意义 三、激光掺杂光斑优化设计 二、激光掺杂实验及结果 四、激光掺杂热源模型 一、课题背景和研究意义 能源问题导致环境恶化，清洁能源的地位逐步上升，寻找安全、清洁、廉价、可再生新能源已成为当前人类面临的重要任务。 太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的能源产业。在未来很长时间之内，晶硅太阳能电池依然占据光伏领域的主体地位。。 一、课题背景和研究意义 全球光伏组件累计安装量 未来主要能源供应 ——光伏能源 未来可再生能源发展趋势 虽然光伏市场增长迅速，当前产能过剩的现象依然明显。通过扩大产能降低成本的效果有限，并将进一步恶化产能过剩的状况，因此技术突破才是增强竞争力的关键，保持技术先进性才是在行业大调整中生存下来并持续增强竞争力的有效手段。 在未来10年内，晶硅太阳能电池依然占据光伏领域的主体地位，晶硅电池技术发展的方向主要有：背电场技术，浅结技术，绒面技术，密栅金属化技术，钝化技术，吸杂技术，选择性发射区技术及双层减反射膜技术。 选择性发射极的制备方法有很多，因为激光掺杂工艺具备企业设备投入少、利于实现产业化等优点逐步成为制备选择性发射极的主要方法。 光伏市场—晶硅电池—选择性发射极—激光掺杂 选题思路 实现选择性结构SE的方法 A: 背面刻蚀工艺 B: 掩膜工艺 C:LGBC（激光刻槽）工艺 D: 激光掺杂工艺 单步激光掺杂法 激光掺杂的优点 不需用扩散掩膜设备，简化工艺流程； 不需整体高温处理，避免了产生高温晶格缺陷和杂质缺陷； 电极线宽窄，提高了电池有效吸光面积； 可将钝化层一并去除，未去除的钝化层仍可作为后续的掩膜； 整套工艺设备简单，不产生有毒物质，利于环保。 传统电池结构： 掺杂浓度较大时，光生载流子的复合速度大，少子 寿命短，电池的反向饱和电流和漏电流都较大； 掺杂浓度较小时，正电极与硅片的接触电阻会增大，限制电池的填充因子。 传统电池结构 选择性发射极结构 SE电池结构： 1、降低串联电阻提高填充因子 2、减少载流子Auger复合提高表面钝化效果改善短波响应 3、提高Isc和Voc SE优点 二、激光掺杂实验及结果 硅片参数 S156￠220多晶硅片，数量400片，旭阳雷迪片源 规 格：156mm×156mm；电阻率为1～3Ω.cm；厚度为220μm 丝网印刷 ：主栅2mm ；细栅80um；间距1.9mm 激光器参数 工作波长为532nm，100W量级的纳秒激光器 扫描速度：6.75m/s；光斑大小：270um； 调制频率：25KHZ，扫描线宽：270um，扫描速度：6.75m/s。 工艺流程 实验设备 武汉帝尔激光有限公司的相关设备 激光器 光束整形示意图 生产工位 实验设备 进口设备 国产设备 西安黄河光伏科技股份有限公司太阳能电池片生产线 激光扫描后的电池形貌图 镀电极后表面形貌 实验结果 掺杂工艺对硅片形貌的影响 实验结果 激光掺杂工艺前后硅片方阻值 硅片方块电阻降低为扩散后硅片方阻的50%左右，而且随着激光功率的增加，扩散到硅片表面的磷原子浓度增大，硅片方阻下降更明显。 掺杂工艺对硅片方阻的影响 实验结果 常规