cmos模拟集成电路设计_实验报告..docxVIP

北 京 邮 电 大 学实 验 报 告实验题目： cmos模拟集成电路实验 姓 名： 何明枢 班 级： 2013211207班内序号： 19学 号： 2013211007指导老师： 韩可 日 期： 2016年 1 月 16 日 星期六目录实验一:共源级放大器性能分析1一、实验目的1二、实验内容1三、实验结果1四、实验结果分析3实验二:差分放大器设计4一、实验目的4二、实验要求4三、实验原理4四、实验结果5五、思考题6实验三：电流源负载差分放大器设计7一、实验目的7二、实验内容7三、差分放大器的设计方法7四、实验原理7五、实验结果9六、实验分析10实验五：共源共栅电流镜设计11一、实验目的11二、实验题目及要求11三、实验内容11四、实验原理11五、实验结果15六、电路工作状态分析15实验六：两级运算放大器设计17一、实验目的17二、实验要求17三、实验内容17四、实验原理21五、实验结果23六、思考题24七、实验结果分析24实验总结与体会26一、实验中遇到的的问题26二、实验体会26三、对课程的一些建议27实验一:共源级放大器性能分析一、实验目的1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法；2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真；3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线；4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响二、实验内容1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。2、输入共源级放大器电路图。3、设置仿真环境。4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。三、实验结果1、实验电路图2、幅频特性曲线电阻为1k时电阻为10k时四、实验结果分析1、器件参数： NMOS管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pF，电阻Rd=10K。NMOS管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pF，电阻Rd=10K。2、实验结果：输入交流电源电压为1.2V，所得增益为12dB。由仿真结果有：gm=496u，R=10k，所以增益Av=496*10/1000=4、96=13、91 dB可见，实际增益大于理论增益。实验二:差分放大器设计一、实验目的1、掌握差分放大器的设计方法；2、掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。二、实验要求1、确定放大电路；2、确定静态工作点Q；3、确定电路其他参数；4、手工计算场效应管的直流转移特性曲线，并将特性曲线描绘在方格纸上，在曲线上确定出MOS管的饱和区，确定输入电压、输出电压的范围；5、电压放大倍数大于20dB，尽量增大GBW，设计差分放大器；6、对所设计电路调试；7、对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。三、实验原理平衡态下的小信号差动电压增益AV为： β1= β2= β=μnCOX(W/L)四、实验结果1、电路图2、幅频特性曲线3、MOS管宽长比和电阻大小变化对应的放大倍数放大倍数Av/dBMOS管沟道宽长比101520304060电阻R/Ω20k15.616.416.817.317.71830k1919.820.220.821.121.440k21.422.222.623.123.423.8改变W/L和栅极电阻，可以看到，R一定时，随着W/L增加，增益增加，W/L一定时，随着R的增加，增益也增加。但从仿真特性曲线我们可以知道，这会限制带宽，所以在增大沟道宽长比的时候，要注意带宽是否满足条件。随着W/L增大时，带宽会下降。为保证带宽， 选取W/L=60，R=30k的情况下的数值，最终实现了带宽约为200MHz-300MHZ，可以符合系统的功能特性。五、思考题根据计算公式，为什么不能直接增大R实现放大倍数的增大？答： 若直接增加Rd，则Vd会增加，增加过程中会限制最大电压摆幅；如果VDD—Vd=Vin—VTH，那MOS管处于线性区的边缘，此时仅允许非常小的输出电压摆幅。即电路不工作。此外，RD增大还会导致输出结点的时间常数更大。实验三：电流源负载差分放大器设计一、实验目的1.掌握电流源负载差分放大器的设计方法；2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。二、实验内容1.设计差分放大器，电压放大倍数大于30dB；2.对所涉及的电路进行设计、调试；3.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。三、差分放大器的设计方法1、确定放大电路（选择场效应管）2、手工计算场效应管的直流转移特性曲线，并将特性曲线描绘在方格纸上，在曲线上确定出MOS管的饱和区，确定输入电压、输出电压的范围。3、确定静态工作点Q。4、确定电路中的其他参数。5、调整静态工作点：可以修改场效应管的W。四、实验原理 电流镜负载的差分对传统运算放大器的输入级一般都采用电流镜负载