STM32自学笔记..docVIP

原子位操作： 原子位操作定义在文件中。令人感到奇怪的是位操作函数是对普通的内存地址进行操作的。原子位操作在多数情况下是对一个字长的内存访问，因而位号该位于0-31之间(在64位机器上是0-63之间),但是对位号的范围没有限制。 原子操作中的位操作部分函数如下：void set_bit(int nr, void *addr)??????? 原子设置addr所指的第nr位void clear_bit(int nr, void *addr)????? 原子的清空所指对象的第nr位void change_bit(nr, void *addr)???????? 原子的翻转addr所指的第nr位int test_bit(nr, void *addr)??????????? 原子的返回addr位所指对象nr位int test_and_set_bit(nr, void *addr)??? 原子设置addr所指对象的第nr位，并返回原先的值int test_and_clear_bit(nr, void *addr)? 原子清空addr所指对象的第nr位，并返回原先的值int test_and_change_bit(nr, void *addr)? 原子翻转addr所指对象的第nr位，并返回原先的值 ? ????unsigned long word = 0; ??? set_bit(0, word); /*第0位被设置*/ ??? set_bit(1, word); /*第1位被设置*/ ?clear_bit(1, word); /*第1位被清空*/ change_bit(0, word); /*翻转第0位*/中断程序执行完，在执行低级别中断。 固文件： 固件(Firmware)就是写入EROM（可擦写只读存储器）或EEPROM(电可擦可编程只读存储器)中的程序。 固件库：包含各个外设或者内核的驱动头文件和C文件。 TIx的输入捕获滤波器（消抖）： 采样频率fSAMPLING，采样次数N，如果以采样频率对一脉冲进行采样时，如果在N个采样方波里该脉宽不变，则视为一次有效的脉冲，否则视为无效的脉冲。 高级定时器的PWM互补输出： 常用于X相电机驱动，其中的互补输出则防止电机的死区出现。 Systick系统时钟（以cortex-M3为基准）： 其两大作用： 产生精确的延时 提供给操作系统一个单独的心跳（时钟）节拍 Cortex-M3内核中包含一个Systick时钟，其为一个24位递减计数器，计数器设定初始值并使能后，每经一个系统时钟计数值减一，计数到零时COUNTFLAG置位，计数器装载，触发中断。 四大寄存器： （1）、STK_CTRL：STK控制寄存器 Bit0： ENABLE ??????????SysTick timer的使能位，1使能Systick timer，0关闭Systick timer Bit1： TICKINT ??????????异常触发使能位，TICKINT=1，STK_VAL计数到0触发异常；TICKINT=0，不触发异常 Bit2： CLKSOURCE ??????????Systick时钟选择位，SysTick = 1，时钟为AHB时钟；0时钟位AHB/8（属于它所挂的AHB中。） Bit16：COUNTFLAG ??????????计数为0标志位，?当STK_VAL计数到0，此标志位会被置1 （2）、STK_LOAD：STK装载寄存器位0~23 （3）、STK_VAL ：STK当前值寄存器位0~23。 （4）、STK_CALIB： 死区时间控制： 死区,简单解释:通常,大功率电机、变频器等，末端都是由大功率管、IGBT等元件组成的H桥或3相桥。每个桥的上半桥和下半桥是是绝对不能同时导通的，但高速的PWM驱动信号在达到功率元件的控制极时，往往会由于各种各样的原因产生延迟的效果，造成某个半桥元件在应该关断时没有关断，造成功率元件烧毁。死区控制就是在上半桥关断后，延迟一段时间再打开下半桥或在下半桥关断后，延迟一段时间再打开上半桥，从而避免功率元件烧毁。这段延迟时间就是死区 PWM的上下桥臂的三极管是不能同时导通的。如果同时导通就会是电源两端短路。所以，两路触发信号要在一段时间内都是使三极管断开的。这个区域就叫做“死区”优点就不用说了。缺点是使谐波的含量有所增加。 死区时间大，模块工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，一般为us级。最佳的设置是：在保证安全的前提下，越小越好。以不炸功率管、输出不短路为目的。 十、换相事件（COM事件）： 十一、存储器的编码格式： 1、大端格式：在这种格式中，字数