基于氧化锌纳米棒阵列染料敏化太阳能电池)整篇论文翻译..docVIP

（基于氧化锌纳米棒阵列染料敏化太阳能电池）整篇论文翻译 基于氧化锌纳米棒阵列染料敏化太阳能电池 Patcharee Charoensirithavorn and Susumu Yoshikawa* 先进能源，京都大学，京都，宇治，611-0011协会，日本 摘要：ZnO纳米棒的阵列被用在制造氟掺杂的SnO2透明导电氧化物（FTO）的玻璃基板和使用它们作为染料敏化太阳能电池中的宽带隙半导体。我们的目标是介绍和展示在半导体结构设计上新的可能性。这个单元结构的最佳性能产生的开路电压为为0.64mV，短路电流密度（Jsc）为5.37mA/cm2，填充因子（FF）为0.49，转换效率（η）为1.69%，尤其是它受纳米棒阵列的表面面积的限制。 关键词：氧化锌，纳米棒阵列，染料敏化太阳能电池，高比表面积，一维 引言 太阳能电池是本世纪最有前途的可再生能源技术，因为它有可能解决环境问题和能源不足的问题。正在以无机半导体为研究对象的染料敏化太阳能电池（DSSC）作为一种新型的太阳能电池，以其低的成本有望替代作为传统的固态装置。在DSSC电池性能上的一个重要限制因素是电子传输。在其光电极的往返移动中，电子估计跨越103至106纳米粒子[1]。纳米颗粒膜的无序结构导致的自由电子的散射增强，从而降低了电子迁移率，特别是使电子重组在晶