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微电子与集成电路设计15讲解
假设?vDS很小，vSB=0，则有 VGS (V) ID（μA） ID1/2 (μA)1/2 vSB 1 60.1 7.752 0 1.2 103 10.149 0 1.4 154 12.410 0 1.6 212 14.560 0 VGS (V) ID（μA） ID1/2 (μA)1/2 vSB 1 60.1 7.752 0 1.2 103 10.149 0 1.4 154 12.410 0 1.6 212 14.560 0 = m2 =128.66?A/V2 CMOS单端反相放大器 CMOS差分放大器 CMOS叠接放大器 * * 大信号： 电压转移特性 摆幅限制 小信号： 增益 输入输出阻抗 频率特性 其他： 噪声 功耗 温度特性 * Vout摆幅？ 复习： 负载线如何确定？ The boundary between active and saturation operation for M1 is vDS1=vGS1-VTN ? vOUT=vIN-0.7V * 电容间的对应关系？ （假设Vin接低阻抗电压源） * -3dB点的位置？ 有源PMOS电阻反相器，(W/L)1=2um/1um，(W/L)2=1um/1um，Cgd1=100fF，Cbd1=200fF，Cbd2=200fF，Cgs2=200fF，CL=1pF，ID1=ID2=100uA，VDD=5V。 求：输出电压摆幅，小信号增益，输出电阻，-3dB频率 重要结论！ * * * * 推挽型CMOS放大器，W1=L1＝1um，W2＝2um，L2＝1um，VDD＝5V，Cgd1=Cgd2＝100fF，Cbd1=200fF，Cbd2=200fF，Cgs2=200fF，CL=1pF，假设ID1＝ID2＝300uA，计算输出摆幅，小信号特性，频率特性。 什么是差分放大器?
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