4.1 MOS场效应管.pptVIP

第四章 场效应管放大电路 场效应晶体管FET (Field Effect Transisitor)(单极型晶体管）与晶体三极管（双极型晶体管）不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET (Junction FET) 金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) 场效应管有两种: N沟道 P沟道 增强型EMOS 按沟道类型分 N沟道NMOS P沟道PMOS （耗尽型） FET JFET MOSFET (IGFET) 按工作方式分 耗尽DMOS P N N g s d N沟道增强型 g s d B P型衬底 SiO2绝缘层 金属铝 两个N区 一、MOSFET结构和电路符号 4.1 MOSFET N P P g s d P 沟道增强型 g s d B P N N g s d vDS vGS 工作原理： 在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。这样，在漏极电压的作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 vDS vGS 二、NEMOSFET工作原理 P N N g s d （1）vGS=0时 漏区和源区被隔断,没有导电沟道 iD=0 vGS + - 1. 沟道形成原理 （2）vGS0且vGSVT 漏区和