第五章-非平衡载流子-朱俊-2014题库.ppt

● 电 场 很 强 x △p 0 △po Lp(ε) △po/e Lp(ε)称为牵引长度 空穴在电场作用下，在寿命τ 时间内漂移的距离 ● 电 场 很 弱 ?p?p?很低，Lp(?)Lp (2) 光激发载流子的衰减（例子） 均匀掺杂的N型半导体，光均匀照在半导体上，其内部均匀地产生非子，没有电场，内部也没有其它产生，求光照停止后的衰减方程。 ●均匀掺杂，均匀光照： ●无 电 场：E=0 ●内部无其它产生：gp=0 t=0，停止光照，?p(0)=?p0，?A=?p0 (3) 扩 散 方 程 光照均匀掺杂的N型半导体，无电场，无其它产生时的稳态方程。 E=0，gp=0， 稳态 均匀掺杂： 一、非平衡载流子的产生、平均寿命、 平均扩散长度及浓度的计算 小 结 小注入，大注入 二、非平衡载流子的复合 1.直接复合：小注入时，非子寿命决定于多子浓度 大注入时，非子寿命决定于注入。 2.间接复合： （1）、小注入的N 型材料： （2）、小注入的P型材料： 小注入时：非子寿命决定于少子寿命 3.有效复合中心： Et=Ei 大注入时： 三、陷 阱 效 应 （Trap effect） 1. 有效陷阱： 2. 电子陷阱 是存在于P型材料中 空