电子技术基础数字部分课件第三章解析.ppt

3.5.1 正负逻辑问题 3.5 逻辑描述中的几个问题 3.5.2 基本逻辑门的等效符号及其应用 3.5.1 正负逻辑问题 1. 正负逻辑的规定 0 1 1 0 正逻辑 负逻辑 3.5 逻辑描述中的几个问题 正逻辑体制:将高电平用逻辑1表示，低电平用逻辑0表示 负逻辑体制:将高电平用逻辑0表示，低电平用逻辑1表示 A B L 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 ___与非门 A B L 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 某电路输入与输出电平表 A B L L L H L H H H L H H H L 采用正逻辑 ___或非门 采用负逻辑 与非 ? 或非 负逻辑 正逻辑 2. 正负逻辑等效变换 与 ? 或 非 ? 非 3.5.2 基本逻辑门电路的等效符号及其应用 1、 基本逻辑门电路的等效符号 与非门及其等效符号 利用摩根定律对基本逻辑运算进行变换，可以得到不同形式的表达式。 输入端的小圆圈表示先对输入信号进行非运算。 或非门及其等效符号 1 0 0 1 1 截止 导通 1 1 1 高阻 × 0 输出L 输入A 使能EN 0 0 1 1 0 0 截止 导通 1 0 截止 截止 X 逻辑功能：高电平有效的同相逻辑门 0 1 高阻 1 0 0 1 (1)三态门的电路结构 控制端高电平有效的三态门 (2)逻辑符号 控制端低电平有效的三态门 用“▽”表示输出为三态。 高电平有效 低电平有效 (3)三态门的主要应用－实现总线传输 　　要求各门的控制端EN轮流为高电平，且在任何时刻只有一个门的控制端为高电平。 用三态门实现总线传输 　　如有8个门，则8个EN端的波形应依次为高电平，如下页所示。 3.1.7 CMOS传输门(双向模拟开关) 1. CMOS传输门电路 电路 逻辑符号 υI / υO υo/ υI C 等效电路 由于VTP和VTN在结构上对称，所以图中的输入和输出端可以互换，又称双向开关。 2、CMOS传输门电路的工作原理 设TP:|VTP|=2V， TN:VTN=2V ?I的变化范围为－5V到+5V。 ?5V +5V ?5V到+5V ?GSN VTN, TN截止 ?GSP=5V ? (-5V到+5V)=(10到0)V 开关断开，不能转送信号 ?GSN= -5V ? (－5V到+5V)=(0到-10)V ?GSP0, TP截止 1）当c=0， c =1时 c=0=-5V， c =1=+5V C T P v O / v I v I / v O +5V – 5V T N C +5V ?5V ?GSP= ?5V ? (－3V~+5V) =?2V ~ ?10V ?GSN=5V ? (－5V~+3V)=(10~2)V b、?I=?3V~5V ?GSNVTN, TN导通 a、?I=?5V~3V TN导通，TP导通 ?GSP |VT|, TP导通 C、?I=?3V~3V 2）当c=1， c =0时 3.CMOS传输门(双向数字开关) （a）电路 （b）逻辑符号 传输门组成的数据选择器 C=0 TG1导通, TG2断开 L=X TG2导通, TG1断开 L=Y C=1 4. 传输门的应用 1 2 CMOS逻辑集成器件发展使它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器件的水平。CMOS器件的功耗低、扇出数大，噪声容限大，静态功耗小，动态功耗随频率的增加而增加。 0.00087~22 0.0003~7.5 2.9 BiCMOS 13 1? (1MHz) 13 74HCT 15 1.5? (1MHz) 10 74HC 105 1?(1MHz) 75 4000B 延时功耗积 (pJ) 功耗 (mW) 传输延迟时间 tpd/ns(CL=15pF) 参数 系列 3.1.8 CMOS逻辑门电路的技术参数 CMOS门电路各系列的性能比较 3.1.9 NMOS逻辑门电路 P91 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门 　 　(1) 静态特性： 断开时，开关两端的电压不管多大，等效电阻ROFF = 无穷，电流IOFF = 0。