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工作点稳定问题 ?? 为获得较好的性能，必须设置一个合适的Q点。在固定偏流电路中，当更换管子或是环境温度变化引起管子参数变化时，电路的工作点往往会移动，甚至移到不合适的位置而使放大电路无法正常工作。 ??? 工作点不稳定的原因很多，例如电源电压变化，电路参数变化，管子老化等，但主要是由于BJT的性能参数（ICBO、VBE、?等）随温度变化造成的。由于温度变化时将影响管子内部载流子（电子和空穴）的运动，从而使ICBO、VBE和?都会发生变化。 ??? 对于硅管而言，尽管上述三个参数均随温度变化，但其中ICBO的值很小，对工作点稳定性的影响较小。 ??? 硅管的VBE和b受温度的影响较大，是它的特点。大多数管子（包括硅管和锗管）的VBE的温度系数为–2.2mV/℃。 ??? BJT的电流放大系数?会随温度的升高而增大，这是因为温度升高后，加快了基区注入载流子的扩散速度，这样，在基区电子与空穴的复合数目减小，因而?增大。根据实验结果，温度每升高1℃，?要增加0.5%~1.0%左右。 ??? BJT的输出特性将因b的变化而随之变化，当b变大时，输出特性曲线族的间隔将变宽。由于输出特性的变化，当b增大时，Q点上移，IC增加；当b减小时，Q点下移，IC减小，这样变化的结果都使工作状态发生变化。 综上所述，可得如下结论： ????? ① ICBO、b、VBE随温度T升高的结果，都集中表现在Q点电流IC的增大。 ????? ② 硅管的ICBO小，受温度的影响可以忽略，因此，VBE和?的温度影响，对硅管是主要的，但对工作在较高 ???????? 温度下的大功率硅管，ICBO的影响就不能忽略。 ????? ③ 至于锗管，它的ICBO大，ICBO的温度影响对锗管是主要的。 ??? 由上一节的分析可知，BJT参数ICBO、VBE、b随温度变化对Q点的影响，最终都表现在使Q点电流IC增加。从这一现象出发，在温度变化时，如果能设法使IC近似维持恒定，问题就可得到解决。例如，可采取两方面的措施： ??? （1）针对ICBO的影响，可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。 ??? （2）针对VBE的影响，可设法使发射结的外加电压随温度的增加而自动减小。 图XX_01 ??? 图XX_01是实现上面两点设想的电路，称为射极偏置电路。它是交流放大电路中最常用的一种基本电路。为便于讨论Q点的稳定问题，设输入电压vi=0。此时，iB=IB，iC=IC，iE=IE，i1=I1。这个电路稳定工作点的物理过程是这样的：利用Rb1和Rb2组成的分压器以固定基极电位。如果I1IB（I1是流经Rb1、Rb2的电流），就可近似地认为基极电位VB?Rb2VCC/（Rb1+ Rb2）。在此条件下，当温度上升时，IC（IE）将增加，由于IE的增加，在Re上产生的压降IERe也要增加，IERe的增加部分回送到基极-发射极回路去控制VBE，使外加于管子的VBE减小（因VBE=VB–IERe，而VB又被Rb1和Rb2所固定），由于VBE的减小使IB自动减小，结果牵制了IC的增加，从而使IC基本恒定。这就是反馈控制的原理。 由上述分析可知，I愈大于IB及VB愈大于VBE，则该电路稳定Q的效果愈好。为兼顾其他指标，设计此种电路时，一般可选取 I1=（5~10）IB （硅管） I1=（10~20）IB （锗管） VB=（3~5）V （硅管）?? VB=（1~3）V （锗管） 　 XX_01 XX_02 ??? 分析电路的静态工作点要以直流通路作为分析依据。将图XX_01所示射极偏置电路中的耦合电容Cb1、Cb2开路，画出其直流通路如图XX_02所示。在I1 IB及VB VBE的条件下，可认为I1?I2，VB? VE，于是有 因 而 所以 , 利用上式可以分别求得Q点的IC、IB及VCE。 归纳起来射极偏置电路静态分析流程为 　 图XX_01 在前述静态分析的基础上作动态分析。 （1）画出电路的小信号模型等效电路 将射极偏置电路中的Cb1、Cb2短接，VCC接地，画出其交流通路，根据交流通路画出小信号模型等效电路如图XX_01所示。 （2）求电压增益 其中 （1） ??? 由式（1）可知，由于Re的接入，虽然带来了稳定工作点的好处，但却使电压增益下降了，而且Re越大，下降就越多。为了解决这个问题，通常在Re上并联一个大电容Ce（大约几十到几百微法），它对交流接近于短路，因此对交流电流而言可看成是发射极直接接地，所以Ce又称为射极旁路电容。它消除了Re对交流分量的影响，使电压增益不致下降。 图XX_02 （3）求输入电阻和输出电阻 求输入电阻 由图XX_02可知，电路输入端在外加测试电压 的作用下，相应的测试电流