DDR2程序设计方案.doc

DDR2程序设计方案 程序设计目标 实现DDR2的读写功能，并且读写正常。 程序设计思路 考虑到直接写DDR2读写时序有困难，所以使用DDR2 IP核。 调用DDR2 IP核，并且为DDR2 IP核生成相应的时钟，根据模块化思想，将读写操作进行封装成模块，在顶层模块为读写模块提供地址与数据。 程序具体设计 根据以上思路需要做到以下几点： 生成DDR2 IP核 基于DDR核的读写模块 顶层模块设计 使用PLL生成时钟 DDR2 IP核的生成过程 打开核生成器 创建一个新的工程 根据工程需要指定工程路径，并且给工程取名。 点击Part选择芯片型号，点击Generation选择语言，点击ok。 找到mig核，并双击，进入DDR2核生成过程。 进入DDR2 IP核的配置界面，核对建立工程时的信息，点击下一步 重新定义”Component Part”，点击下一步 点击下一步 选择DDR2_SDRAM，点击下一步 设置时钟为200M，数据位宽为16 点击此页的”Creat Custom Part”，设置器件名称为k4t1g164qf，此名称可以自由定义并作为DDR2芯片名，在最下方根据芯片手册选择相应的列地址，行地址以及BANK地址，点击保存，回到之前的页面，点击下一步 选择”Burst Length”为4，点击下一步 “System Clock”选择”Single-Ended”，单端时钟比较好操作，点击下一步。 接下来是DDR2引脚的配置，此时的配置需要明确DDR2在FPGA上的引脚，同时这一步也是检验DDR2引脚在FPGA上分配是否正确的方法。选择”Fixed Pin Out:...”这一选项，点击下一步 将FPGA的引脚标识添加到对应DDR2信号名称的引脚上。多余引脚，先找一些无用的引脚填上，之后再修改ucf文件即可。如果ucf已经存在，也可以使用”ReadUCF”来进行加载，如果引脚有不正确的分配，进行”Valide”时会提示错误。如果无错误，点击下一步 点击下一步 选择”Accept”，点击下一步，之后一直点击下一步，直到最后点击”Generate”，生成DDR2 IP核。 到此DDR2 IP核生成完成。 打开DDR2 IP核所在文件，ucf文件在par目录下，下图是路径，此ucf文件中有之前配置的引脚，其中一些引脚需要修改或删除。 基于DDR2核的读写模块设计 DDR2 IP核信号介绍 DDR2读写需要操作的信号如下： 信号 位宽 定义 phy_init_done 1 此信号为DDR2初始化信号，此信号为高有效 rst0_tb 1 DDR2操作时的复位信号，此信号高电平有效 clk0_tb 1 DDR2操作时的时钟信号 app_wdf_afull 1 写数据时FIFO满标志，为1时表示满 app_af_afull 1 写地址时FIFO满标志，为1时表示满 rd_data_valid 1 读数据时，数据输出有效标志 app_wdf_wren 1 写数据使能 app_af_wren 1 写地址使能 app_af_addr 31 地址线，无效的位写1(建议) app_af_cmd 3 命令信号，000为写数据，001为读数据 rd_data_fifo_out 32 数据输出端口 app_wdf_data 32 写数据时的数据输入线 app_wdf_mask_data 4 写入数据时的数据屏蔽信号 DDR2 IP核读写时序分析 写时序分析 此图中的写数据是4突发连续写 图中reset_tb为复位信号，本次生成核的复位信号为rst0_tb，此信号为1表示复位。phy_init_done为DDR2初始化完成信号，如果此信号不为高，表示DDR2核未完成初始化，此时DDR2核无法工作。 在复位无效并且phy_init_done为高的情况下，进行突发写数据。 这里突发长度为4个数据，4个16位的数据，app_wdf_data的位宽为32位，所以需要写两次数据，即图中所示的D1D0,D3D2。地址是4的倍数，如第一个地址为0，第二个地址便为4，之后就是8，12... 读时序分析 在不断写入地址的过程中，数据会在rd_data_valid拉高的时候通过rd_data_fifo_out输出。 不断写入地址，等待rd_data_valid拉高，读rd_data_fifo_out中的数据。 读数据也一样，地址是以4为基数不断累加输入的。 顶层模块设